[发明专利]一种半导体器件连线结构及其制备方法、半导体器件

权利要求书

1.一种半导体器件连线结构，其特征在于，包括同层设置且一侧贴合的第一金属层和有机材料层，所述第一金属层上还设置有第二金属层，所述第二金属层延伸至所述有机材料层上，所述第二金属层和所述有机材料层上沉积有钝化层，所述钝化层覆盖所述第二金属层的侧壁，其中，所述第二金属层靠近所述有机材料层的侧壁包括靠近所述有机材料层的第一侧面、远离所述有机材料层的第二侧面以及连接在所述第一侧面和所述第二侧面之间的至少一个第三侧面，所述第一侧面、所述第二侧面以及所述第三侧面与所述有机材料层分别具有第一夹角θ1、第二夹角θ2和第三夹角θ3，其中，θ1、θ2和θ3均小于90°，且θ2θ1θ3。

2.根据权利要求1所述的半导体器件连线结构，其特征在于，所述第二金属层靠近所述有机材料层的侧壁具有一个所述第三侧面，所述第三侧面的相对两边分别与所述第一侧面和第二侧面连接。

3.根据权利要求2所述的半导体器件连线结构，其特征在于，所述第一侧面和所述第二侧面在层级方向上的高度之比在1:10-1:20之间。

4.根据权利要求2所述的半导体器件连线结构，其特征在于，所述第一侧面和所述第三侧面在层级方向上的高度和小于2.5um。

5.根据权利要求3所述的半导体器件连线结构，其特征在于，所述第一侧面和所述第三侧面在所述有机材料层上的投影的宽度大于0.5um，其中，所述宽度的方向为所述第一金属层与所述有机材料层的排列方向。

6.根据权利要求1所述的半导体器件连线结构，其特征在于，所述有机材料层的厚度大于所述第一金属层的厚度，以使所述第二金属层与所述有机材料层的接触面和所述第二金属层与所述第一金属层的接触面形成台阶结构。

7.根据权利要求6所述的半导体器件连线结构，其特征在于，所述第一金属层与所述第二金属层之间，以及所述有机材料层与所述第二金属层之间还设置有种子层。

8.根据权利要求6所述的半导体器件连线结构，其特征在于，所述有机材料层延伸至所述第一金属层上，且延伸部分的靠近所述第一金属层的侧面为斜面。

9.一种半导体器件连线结构的制备方法，其特征在于，用于制备如权利要求1-8任意一项所述的半导体器件连线结构，包括：

提供同层且一侧贴合的第一金属层和有机材料层；

在所述第一金属层和所述有机材料层的上表面涂布光刻胶，对所述光刻胶的部分区域光刻并显影露出所述第一金属层和部分所述有机材料层，光刻显影后的光刻胶的靠近所述第一金属层的侧壁包括靠近所述有机材料层的第一侧面、远离所述有机材料层的第二侧面以及连接在所述第一侧面和所述第二侧面之间的至少一个第三侧面，所述第一侧面、所述第二侧面以及所述第三侧面与所述有机材料层分别具有第一夹角θ1、第二夹角θ2和第三夹角θ3，其中，θ1、θ2和θ3均小于90°，且θ2θ1θ3；

在露出的所述第一金属层和部分所述有机材料层上电镀第二金属形成第二金属层；

去除光刻胶并在所述第二金属层和所述有机材料层上沉积钝化层。

10.一种半导体器件，其特征在于，包括衬底以及设置于所述衬底上的外延片，所述外延片上设置有如权利要求1-8任一项所述半导体器件连线结构。