[发明专利]半导体结构及其制备方法、存储器在审
| 申请号： | 202310214876.5 | 申请日： | 2023-03-02 |
| 公开（公告）号： | CN116154001A | 公开（公告）日： | 2023-05-23 |
| 发明（设计）人： | 薛兴坤;李泽伦;徐汉东;刘晓阳;朴仁镐;顾婷婷 | 申请（专利权）人： | 长鑫存储技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/417;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京派特恩知识产权代理有限公司 11270 | 代理人： | 张竞存;张颖玲 |
| 地址： | 230601 安徽省合肥市*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本公开实施例公开了一种半导体结构及其制备方法、存储器。半导体结构包括：衬底；半导体层，包括：源极、沟道和漏极；其中源极和漏极位于衬底中，沟道位于源极和漏极之间且位于衬底上；源极接触，位于衬底中且与源极接触；漏极接触，位于衬底中且与漏极接触；其中，源极接触与源极之间具有至少两个接触面；和/或，漏极接触和漏极之间具有至少两个接触面。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 及其 制备 方法 存储器 | ||
【主权项】：
暂无信息
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