[发明专利]一种半包MOSFET器件及其制备方法、芯片在审
| 申请号： | 202310164902.8 | 申请日： | 2023-02-24 |
| 公开（公告）号： | CN116314328A | 公开（公告）日： | 2023-06-23 |
| 发明（设计）人： | 刘浩文;黄汇钦 | 申请（专利权）人： | 天狼芯半导体（成都）有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336;H01L29/06;H01L29/36;H01L29/423 |
| 代理公司： | 深圳中一联合知识产权代理有限公司 44414 | 代理人： | 林春梅 |
| 地址： | 610000 四川省成都市高新*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本申请属于半导体技术领域，提供了一种半包MOSFET器件及其制备方法、芯片，通过在N型衬底的正面形成N型漂移层，然后在N型漂移层上分别形成P型基区和P型屏蔽区，接着在P型基区中注入N型掺杂离子形成N型重掺杂区，对P型屏蔽区进行修饰处理后形成深入至N型漂移层的肖特基金属层，在P型屏蔽区与P型基区之间形成栅极介质层，从而形成一种集成型的半包MOSFET器件，降低了器件在续流时的二极管开启电压和死区时间，并且大大降低了半包MOSFET器件在导通时产生的电流尖峰，有效降低了半包MOSFET器件的开关损耗，增强了半包MOSFET器件的性能和稳定性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 mosfet 器件 及其 制备 方法 芯片 | ||
【主权项】：
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