[发明专利]一种电子器件、封装结构及其制备方法有效

专利信息
申请号: 202310156280.4 申请日: 2023-02-23
公开(公告)号: CN115881681B 公开(公告)日: 2023-06-27
发明(设计)人: 陆天然;刘杉;刘庆波;黎子兰 申请(专利权)人: 徐州致能半导体有限公司;广东致能科技有限公司
主分类号: H01L23/495 分类号: H01L23/495;H01L21/50;H01L21/60;H01L21/56;H01L23/498
代理公司: 北京威禾知识产权代理有限公司 11838 代理人: 王月玲
地址: 221116 江苏省徐州市徐州高新*** 国省代码: 江苏;32
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摘要: 发明涉及一种电子器件、封装结构及其制备方法,属于半导体技术领域,用于解决现有封装工艺中的封装厚、封装效率不高的问题。所述方法包括:在基材的第一表面提供第一金属块,其中,所述基材的第一表面包括第一互联区域和第二互联区域;在第二互联区域表面提供第一芯片,所述第一芯片与所述第二互联区域电连接;提供框架,其中,所述框架包括边框和多个从所述边框向内延伸的连接部,所述第一芯片通过一个或多个所述连接部与所述第一金属块电连接;提供封装材料得到封装体;以及去除所述框架的所述边框。本发明封装效率高,提供的封装结构薄,电阻小,散热效果好,从而有效地提高了电子器件性能。
搜索关键词: 一种 电子器件 封装 结构 及其 制备 方法
【主权项】:
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