[发明专利]一种发光二极管外延片及其制备方法、发光二极管在审
| 申请号： | 202310064258.7 | 申请日： | 2023-01-17 |
| 公开（公告）号： | CN116093219A | 公开（公告）日： | 2023-05-09 |
| 发明（设计）人： | 高虹;程龙;郑文杰;舒俊;张彩霞;程金连;印从飞;刘春杨;吕蒙普;胡加辉;金从龙 | 申请（专利权）人： | 江西兆驰半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/02 | 分类号： | H01L33/02;H01L33/12;H01L33/14;H01L33/32;H01L33/06;H01L33/00 |
| 代理公司： | 南昌旭瑞知识产权代理事务所(普通合伙) 36150 | 代理人： | 万建 |
| 地址： | 330000 江西省南昌市南*** | 国省代码： | 江西;36 |
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| 摘要： |
本发明公开了一种发光二极管外延片及其制备方法、发光二极管，涉及半导体技术领域，所述发光二极管外延片包括衬底，以及依次层叠于所述衬底之上的缓冲层、缺陷屏蔽层、N型GaN层、多量子阱层、电子阻挡层及P型GaN层，所述缺陷屏蔽层包括依次层叠于所述缓冲层之上的第一GaN层、Mg |
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| 搜索关键词： | 一种 发光二极管 外延 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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