[发明专利]肖特基二极管及制作方法，以及电子设备及制作方法在审
| 申请号： | 202310046958.3 | 申请日： | 2023-01-31 |
| 公开（公告）号： | CN116072705A | 公开（公告）日： | 2023-05-05 |
| 发明（设计）人： | 王莹;欧新华;袁琼;陈敏;符志岗;孙春明;李艳旭 | 申请（专利权）人： | 上海芯导电子科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/872;H01L21/329 |
| 代理公司： | 上海慧晗知识产权代理事务所(普通合伙) 31343 | 代理人： | 周冬文;曹娜 |
| 地址： | 201203 上海市浦东新区中国*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种肖特基二极管，包括：肖特基二极管结构，该结构具体包括：衬底、外延层以及若干栅极沟槽；N+型离子注入区与第一势垒层；N+型离子注入区形成于远离若干栅极沟槽一侧的外延层中；第一势垒层形成于N+型离子注入区的表层中；层间介质层，覆盖外延层的表面，且暴露出若干栅极沟槽、若干栅极沟槽之间的外延层以及N+型离子注入区；第一金属层与钝化层，第一金属层形成于第一势垒层的顶端；钝化层包裹第一金属层，且暴露出部分第一金属层的表面；第一焊盘，形成于第一金属层暴露出来的表面上。该技术方案解决了由于传统打线工艺造成的对芯片有效面积的限制的技术问题。进而实现了降低肖特基二极管的压降和提高过电流能力的技术效果。 | ||
| 搜索关键词： | 肖特基 二极管 制作方法 以及 电子设备 | ||
【主权项】：
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