[发明专利]肖特基二极管及制作方法，以及电子设备及制作方法

权利要求书

1.一种肖特基二极管，其特征在于，包括：

肖特基二极管结构，所述肖特基二极管结构包括：衬底、外延层以及若干栅极沟槽；所述外延层形成于所述衬底上；所述若干栅极沟槽形成于所述外延层中；

N+型离子注入区与第一势垒层；所述N+型离子注入区形成于远离所述若干栅极沟槽一侧的所述外延层中；所述第一势垒层形成于所述N+型离子注入区的表层中；

层间介质层，覆盖所述外延层的表面，且暴露出所述若干栅极沟槽、所述若干栅极沟槽之间的所述外延层以及所述N+型离子注入区；

第一金属层与钝化层，所述第一金属层形成于所述第一势垒层的顶端；所述钝化层包裹所述第一金属层，且暴露出部分所述第一金属层的表面；

第一焊盘，形成于所述第一金属层暴露出来的表面上。

2.根据权利要求1所述的肖特基二极管，其特征在于，所述肖特基二极管结构还包括：

场氧层，形成于所述若干栅极沟槽的内壁上；

若干栅极，分别填充于所述若干栅极沟槽中；

第二势垒层，形成于所述若干栅极沟槽之间的所述外延层的表层。

3.根据权利要求2所述的肖特基二极管，其特征在于，所述肖特基二极管还包括：

第二金属层，覆盖所述第二势垒层与所述栅极的顶端；

其中，所述钝化层还包裹所述第二金属层，且暴露出部分所述第二金属层的表面；

第二焊盘，形成于所述第二金属层暴露出来的表面上。

4.一种肖特基二极管的制作方法，用于制作权利要求1-3任一项所述的肖特基二极管，其特征在于，包括：

形成所述肖特基二极管结构、所述N+型离子注入区、所述第一势垒层以及所述层间介质层；所述肖特基二极管结构包括：所述衬底、所述外延层以及所述若干栅极沟槽；所述外延层形成于所述衬底上；所述若干栅极沟槽形成于所述外延层中；其中，所述N+型离子注入区形成于远离所述若干栅极沟槽一侧的所述外延层中；所述第一势垒层形成于所述N+型离子注入区的表层中；所述层间介质层覆盖所述外延层的表面，且暴露出所述若干栅极沟槽、所述若干栅极沟槽之间的所述外延层与所述N+型离子注入区；

形成所述第一金属层、所述钝化层以及所述第一焊盘；其中，所述第一金属层形成于所述第一势垒层的顶端；所述钝化层包裹所述第一金属层，且暴露出部分所述第一金属层的表面；所述第一焊盘形成于所述第一金属层暴露出来的表面。

5.根据权利要求4所述的肖特基二极管的制作方法，其特征在于，形成第一金属层、钝化层以及第一焊盘时，还包括：

形成所述第二金属层与所述第二焊盘；所述第二金属层覆盖所述若干栅极沟槽之间的所述外延层与所述若干栅极沟槽的顶端；

其中，所述钝化层还包裹所述第二金属层，且暴露出部分所述第二金属层的表面；所述第二焊盘形成于所述第二金属层暴露出来的表面上。

6.根据权利要求5所述的肖特基二极管的制作方法，其特征在于，形成所述肖特基二极管结构、所述N+型离子注入区、所述第一势垒层以及所述层间介质层，具体包括：

提供一所述衬底；并形成所述外延层与所述若干栅极沟槽；

形成所述场氧层；

形成所述若干栅极；所述若干栅极填充于所述若干栅极沟槽中；

形成所述N+型离子注入区；所述N+型离子注入区形成于所述远离所述若干栅极一侧的所述外延层中；

形成所述层间介质层；所述层间介质层覆盖所述外延层的表面，且暴露出所述若干栅极、所述若干栅极之间的所述外延层以及所述N+型离子注入区。

形成所述第一势垒层与所述第二势垒层；所述第一势垒层形成于所述N+型离子注入区的表层中；所述第二势垒层形成于所述若干栅极之间的所述外延层的表层。