[发明专利]半导体加工设备及半导体加工设备的反应物检测方法在审
申请号: | 202310014663.8 | 申请日: | 2023-01-03 |
公开(公告)号: | CN116110826A | 公开(公告)日: | 2023-05-12 |
发明(设计)人: | 丁家友 | 申请(专利权)人: | 长鑫存储技术有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;G01D21/02 |
代理公司: | 北京名华博信知识产权代理有限公司 11453 | 代理人: | 苗源 |
地址: | 230601 安徽省合肥市*** | 国省代码: | 安徽;34 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本公开提供了一种半导体加工设备及半导体加工设备的反应物检测方法,半导体加工设备包括制程腔室和负压系统,负压系统包括检测装置、第一负压装置和控制部,检测装置与制程腔室相连,第一负压装置与制程腔室连通,控制部用于控制第一负压装置与制程腔室或检测装置的连通或关断。本公开中,通过设置控制部和第一负压装置,控制部能够将第一负压装置切换至与制程腔室连通,或者将第一负压装置切换至与检测装置连通,第一负压装置能够对检测装置提供更低的负压,提高检测装置的运行稳定性;并且,第一负压装置的使用寿命长且稳定性高,与使用隔膜泵提供负压相比,能够减少后期维护成本,增加半导体加工设备的正常作业时长。 | ||
搜索关键词: | 半导体 加工 设备 反应物 检测 方法 | ||
【主权项】:
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
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