[发明专利]半导体加工设备及半导体加工设备的反应物检测方法

权利要求书

1.一种半导体加工设备，其特征在于，包括制程腔室和负压系统，所述负压系统包括：

检测装置，与所述制程腔室相连，所述检测装置用于对所述制程腔室内的环境进行分析；

第一负压装置，与所述制程腔室连通，所述第一负压装置用于将所述制程腔室抽负压；

所述第一负压装置还与所述检测装置连通，所述第一负压装置用于对所述检测装装置提供负压；

控制部，用于控制所述第一负压装置与所述制程腔室或所述检测装置的连通或关断。

2.根据权利要求1所述的半导体加工设备，其特征在于，所述负压系统还包括切换器件，所述第一负压装置通过所述切换器件分别与所述检测装置或所述制程腔室连通。

3.根据权利要求2所述的半导体加工设备，其特征在于，所述切换器件包括：

第一阀门，位于所述第一负压装置和所述制程腔室之间，所述第一阀门打开时，所述第一负压装置与所述制程腔室连通；

第二阀门，位于所述第一负压装置和所述检测装置之间，所述第二阀门打开时，所述第一负压装置与所述检测装置连通；

其中，所述第一负压装置启动状态下，当所述第一阀门打开且所述第二阀门关闭时，所述第一负压装置能够对所述制程腔室提供第一负压度，当所述第二阀门打开且所述第一阀门关闭时，所述第一负压装置能够对所述检测装置提供第二负压度。

4.根据权利要求3所述的半导体加工设备，其特征在于，所述负压系统包括三通管件，所述三通管件具有第一端、第二端和第三端；

所述第一端与所述第一负压装置相连，所述第二端与所述第一阀门相连，所述第三端与所述第二阀门相连。

5.根据权利要求2所述的半导体加工设备，其特征在于，所述切换器件还包括第三阀门，所述第三阀门位于所述检测装置和所述制程腔室之间；

所述第三阀门打开时，所述检测装置能够从所述制程腔室中抽离物质。

6.根据权利要求2所述的半导体加工设备，其特征在于，所述负压系统包括第二负压装置，所述第二负压装置与所述制程腔室相连，所述第二负压装置还与所述第一负压装置相连；

其中，所述第一负压装置直接与所述制程腔室连通时，所述第一负压装置能够对所述制程腔室提供第一负压度；

所述第一负压装置通过所述第二负压装置与所述制程腔室连通时，所述第一负压装置能够对所述制程腔室提供第三负压度，所述第一负压度小于所述第三负压度。

7.根据权利要求6所述的半导体加工设备，其特征在于，所述切换器件还包括：

第四阀门，位于所述第一负压装置与所述第二负压装置之间；

第五阀门，位于所述第二负压装置与所述制程腔室之间；

其中，所述第一负压装置启动状态下，所述第四阀门和所述第五阀门打开时，所述第一负压装置和所述第二负压装置能够对所述制程腔室提供所述第三负压度。

8.根据权利要求6所述的半导体加工设备，其特征在于，所述切换器件包括三位四通电磁阀，所述三位四通电磁阀包括输出端、第一输入端、第二输入端和第三输入端；

所述输出端与所述第一负压装置相连；

所述第一输入端与所述制程腔室相连，所述第二输入端与所述检测装置相连，所述第三输入端与所述第二负压装置相连。

9.根据权利要求1-8任一项所述的半导体加工设备，其特征在于，所述负压系统还包括第一逆止阀，所述第一逆止阀被配置为流体仅能够由所述检测装置流向所述第一负压装置。

10.根据权利要求1所述的半导体加工设备，其特征在于，所述负压系统还包括第三负压装置，所述第三负压装置设置于所述第一负压装置与所述检测装置的连通通路上；

所述第三负压装置用于为所述检测装置提供第四负压度。

11.根据权利要求1所述的半导体加工设备，其特征在于，所述检测装置包括气体分析仪；和/或，

所述第一负压装置包括干式泵。