[发明专利]半导体加工设备及半导体加工设备的反应物检测方法在审
申请号: | 202310014663.8 | 申请日: | 2023-01-03 |
公开(公告)号: | CN116110826A | 公开(公告)日: | 2023-05-12 |
发明(设计)人: | 丁家友 | 申请(专利权)人: | 长鑫存储技术有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;G01D21/02 |
代理公司: | 北京名华博信知识产权代理有限公司 11453 | 代理人: | 苗源 |
地址: | 230601 安徽省合肥市*** | 国省代码: | 安徽;34 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 半导体 加工 设备 反应物 检测 方法 | ||
本公开提供了一种半导体加工设备及半导体加工设备的反应物检测方法,半导体加工设备包括制程腔室和负压系统,负压系统包括检测装置、第一负压装置和控制部,检测装置与制程腔室相连,第一负压装置与制程腔室连通,控制部用于控制第一负压装置与制程腔室或检测装置的连通或关断。本公开中,通过设置控制部和第一负压装置,控制部能够将第一负压装置切换至与制程腔室连通,或者将第一负压装置切换至与检测装置连通,第一负压装置能够对检测装置提供更低的负压,提高检测装置的运行稳定性;并且,第一负压装置的使用寿命长且稳定性高,与使用隔膜泵提供负压相比,能够减少后期维护成本,增加半导体加工设备的正常作业时长。
技术领域
本公开涉及半导体技术领域,尤其涉及一种半导体加工设备及半导体加工设备的反应物检测方法。
背景技术
在半导体产品加工过程中,通常需要使用残余气体分析仪(RGA)对制程腔室的密封性以及其中的气体环境进行检测、分析。
目前,为保证残余气体分析仪的正常工作压力,需要对残余气体分析仪提供2级真空环境,通常由隔膜泵提供第一级真空环境,再由分子泵提供第二级真空环境。其中,隔膜泵的使用寿命较短,需要定时进行维护、更换,维护、更换隔膜泵时导致半导体加工设备停机较长时间,并且成本巨大。
发明内容
以下是对本公开详细描述的主题的概述。本概述并非是为了限制权利要求的保护范围。
本公开的第一方面,提供了一种半导体加工设备,包括制程腔室和负压系统,所述负压系统包括:
检测装置,与所述制程腔室相连,所述检测装置用于对所述制程腔室内的环境进行分析;
第一负压装置,与所述制程腔室连通,所述第一负压装置用于将所述制程腔室抽负压;
所述第一负压装置还与所述检测装置连通,所述第一负压装置用于对所述检测装装置提供负压;
控制部,用于控制所述第一负压装置与所述制程腔室或所述检测装置的连通或关断。
在一些实施例中,所述负压系统还包括切换器件,所述第一负压装置通过所述切换器件分别与所述检测装置或所述制程腔室连通。
在一些实施例中,所述切换器件包括:
第一阀门,位于所述第一负压装置和所述制程腔室之间,所述第一阀门打开时,所述第一负压装置与所述制程腔室连通;
第二阀门,位于所述第一负压装置和所述检测装置之间,所述第二阀门打开时,所述第一负压装置与所述检测装置连通;
其中,所述第一负压装置启动状态下,当所述第一阀门打开且所述第二阀门关闭时,所述第一负压装置能够对所述制程腔室提供第一负压度,当所述第二阀门打开且所述第一阀门关闭时,所述第一负压装置能够对所述检测装置提供第二负压度。
在一些实施例中,所述负压系统包括三通管件,所述三通管件具有第一端、第二端和第三端;
所述第一端与所述第一负压装置相连,所述第二端与所述第一阀门相连,所述第三端与所述第二阀门相连。
在一些实施例中,所述切换器件还包括第三阀门,所述第三阀门位于所述检测装置和所述制程腔室之间;
所述第三阀门打开时,所述检测装置能够从所述制程腔室中抽离物质。
在一些实施例中,所述负压系统包括第二负压装置,所述第二负压装置与所述制程腔室相连,所述第二负压装置还与所述第一负压装置相连;
其中,所述第一负压装置直接与所述制程腔室连通时,所述第一负压装置能够对所述制程腔室提供第一负压度;
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