[发明专利]采用金属-半导体接合与金属-金属接合的接合组件及其形成方法在审

专利信息
申请号: 202280015800.3 申请日: 2022-01-12
公开(公告)号: CN116868328A 公开(公告)日: 2023-10-10
发明(设计)人: 侯琳;P·拉布金;东谷政昭 申请(专利权)人: 桑迪士克科技有限责任公司
主分类号: H01L23/00 分类号: H01L23/00
代理公司: 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 代理人: 姚政;臧建明
地址: 美国德*** 国省代码: 暂无信息
权利要求书: 暂无信息 说明书: 暂无信息
摘要: 一种第一半导体裸片和第二半导体裸片的接合组件,该接合组件包括第一半导体裸片和第二半导体裸片。该第一半导体裸片包括第一半导体器件、第一金属互连结构和第一金属接合垫,该第一金属互连结构嵌入在第一介电材料层中,该第一金属接合垫被半导体材料层横向地包围。该第二半导体裸片包括第二半导体器件、第二金属互连结构和第二金属接合垫,该第二金属互连结构嵌入在第二介电材料层中,该第二金属接合垫包括主金属接合垫和辅助金属接合垫。该辅助金属接合垫穿过由该半导体材料层的表面部分和辅助金属接合垫的反应形成的金属‑半导体化合物部分而接合到该半导体材料层。该主金属接合垫通过金属到金属接合而接合到该第一金属接合垫。
搜索关键词: 采用 金属 半导体 接合 组件 及其 形成 方法
【主权项】:
暂无信息
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