[实用新型]晶体管、半导体装置及半导体结构有效

专利信息
申请号: 202221622838.0 申请日: 2022-06-27
公开(公告)号: CN217933803U 公开(公告)日: 2022-11-29
发明(设计)人: 郑兆钦;黄瑞乾;洪以则;王世豪;汪涵;廖思雅 申请(专利权)人: 台湾积体电路制造股份有限公司
主分类号: H01L29/10 分类号: H01L29/10;H01L29/78;H01L27/088;H01L27/092
代理公司: 南京正联知识产权代理有限公司 32243 代理人: 王素琴
地址: 中国台湾新竹科*** 国省代码: 台湾;71
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摘要: 实用新型的实施例提供一种晶体管,其包括栅极结构、下伏于栅极结构且包括二维材料的通道层、侧向地与栅极结构隔开并侧向地设置在通道层旁边的源极/漏极接触件以及侧向地插设在栅极结构和源极/漏极接触件之间的间隙壁。亦提供一种半导体装置和一种半导体结构。
搜索关键词: 晶体管 半导体 装置 结构
【主权项】:
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