[实用新型]晶体管、半导体装置及半导体结构有效
| 申请号： | 202221622838.0 | 申请日： | 2022-06-27 |
| 公开（公告）号： | CN217933803U | 公开（公告）日： | 2022-11-29 |
| 发明（设计）人： | 郑兆钦;黄瑞乾;洪以则;王世豪;汪涵;廖思雅 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/10 | 分类号： | H01L29/10;H01L29/78;H01L27/088;H01L27/092 |
| 代理公司： | 南京正联知识产权代理有限公司 32243 | 代理人： | 王素琴 |
| 地址： | 中国台湾新竹科*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 晶体管 半导体 装置 结构 | ||
1.一种晶体管，其特征在于，包括：
栅极结构；
通道层，下伏于所述栅极结构并包括二维材料；
源极/漏极接触件，侧向地与所述栅极结构间隔开并侧向地设置在所述通道层旁边；以及
间隙壁，侧向地插设于所述栅极结构和所述源极/漏极接触件之间。
2.根据权利要求1所述的晶体管，其特征在于，还包括：
中间接触图案，侧向地与所述通道层邻接并设置在所述间隙壁和所述栅极结构下方，所述源极/漏极接触件侧向地与所述中间接触图案邻接，并且所述中间接触图案包括另一种二维材料。
3.根据权利要求1所述的晶体管，其特征在于，其中所述通道层包括第一部分和连接到所述第一部分的第二部分，并且下伏于所述栅极结构的所述第一部分具有第一厚度，所述第一厚度小于在所述间隙壁下方的所述第二部分的第二厚度。
4.根据权利要求1所述的晶体管，其特征在于，其中所述源极/漏极接触件中的每一个包括侧向地邻接所述通道层的第一接点材料层和设置在所述第一接点材料层上的第二接点材料层，其中所述第一接点材料层包括半金属二维材料。
5.一种半导体装置，其特征在于，包括：
栅极结构；
源极/漏极接触件，侧向地与所述栅极结构间隔开；
通道层，下伏于所述栅极结构的内部部分；以及
中间接触图案，下伏于所述栅极结构的外部部分并与所述通道层邻接，所述中间接触图案的内部侧壁与所述通道层接触，所述中间接触图案的外部侧壁与所述源极/漏极接触件接触，其中所述中间接触图案包括第一二维材料。
6.根据权利要求5所述的半导体装置，其特征在于，其中所述通道层包括不同于所述第一二维材料的第二二维材料。
7.根据权利要求5所述的半导体装置，其特征在于，其中所述栅极结构的最大侧向尺寸大于所述通道层的最大侧向尺寸。
8.根据权利要求5所述的半导体装置，其特征在于，其中所述栅极结构包括具有着落在所述通道层上的突出底部部分的T形剖面。
9.一种半导体结构，其特征在于，包括：
半导体衬底；
晶体管，设置在所述半导体衬底上并包括：
栅极结构；
通道层，下伏于所述栅极结构；
中间接触图案，下伏于所述栅极结构并侧向地与所述通道层邻接，并且所述中间接触图案包括第一二维材料；以及
源极/漏极接触件，侧向地耦接到所述中间接触图案；以及
底部介电层，上覆于所述半导体衬底并将所述通道层和所述中间接触图案与所述半导体衬底分开。
10.根据权利要求9所述的半导体结构，其特征在于，其中所述栅极结构的内部部分与所述通道层重叠，并且所述栅极结构的外部部分与所述中间接触图案重叠。
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