[实用新型]一种半导体功率模块有效

专利信息
申请号: 202221208777.3 申请日: 2022-05-18
公开(公告)号: CN217361562U 公开(公告)日: 2022-09-02
发明(设计)人: 袁乙中 申请(专利权)人: 臻驱科技(上海)有限公司
主分类号: H01L23/373 分类号: H01L23/373;H01L23/367;H01L23/538
代理公司: 上海雍灏知识产权代理事务所(普通合伙) 31368 代理人: 沈汶波
地址: 201203 上海市浦东新区(上海*** 国省代码: 上海;31
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摘要: 实用新型提供了一种半导体功率模块,半导体功率模块包括:金属基底,形成半导体功率模块的底层;半导体芯片,固定安装于金属基底上;第一层压膜,覆盖于金属基底的上底面和/或下底面上未设置有半导体芯片的部分区域;金属箔片,贴设于第一层压膜上,并与金属基底电隔离,其中,金属箔片在金属基底的射影方向上的尺寸小于第一层压膜在金属基底的射影方向上的尺寸;电连接引线,两端分别连接半导体芯片的引脚以及金属箔片,并与金属基底电隔离。采用上述技术方案后,可实现采用金属基底的半导体模块内部高灵活度的信号电路布线以实现多芯片并联及平台化设计。
搜索关键词: 一种 半导体 功率 模块
【主权项】:
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