[实用新型]一种半导体功率模块

权利要求书

1.一种半导体功率模块，其特征在于，所述半导体功率模块包括：

金属基底，形成所述半导体功率模块的底层；

半导体芯片，固定安装于所述金属基底上；

第一层压膜，覆盖于所述金属基底的上底面和/或下底面上未设置有所述半导体芯片的部分区域；

金属箔片，贴设于所述第一层压膜上，并与所述金属基底电隔离，其中，所述金属箔片在金属基底的射影方向上的尺寸小于所述第一层压膜在金属基底的射影方向上的尺寸；电连接引线，两端分别连接所述半导体芯片的引脚以及金属箔片，并与所述金属基底电隔离。

2.如权利要求1所述的半导体功率模块，其特征在于，

所述第一层压膜的边缘延展至所述半导体芯片的边缘，或所述第一层压膜的边缘延展靠近于所述半导体芯片的边缘。

3.如权利要求1所述的半导体功率模块，其特征在于，

所述金属箔片包括第一铜箔和第二铜箔；

所述第一铜箔沿所述金属基底的宽度方向上远离所述半导体芯片的距离，小于所述第二铜箔沿所述金属基底的宽度方向上远离所述半导体芯片的距离，且所述第一铜箔和第二铜箔沿所述金属基底的长度方向延伸。

4.如权利要求3所述的半导体功率模块，其特征在于，

所述半导体芯片至少包括第一芯片和第二芯片；

所述第一芯片包括至少第一信号引脚和第二信号引脚，第一信号引脚和第二信号引脚在所述金属基底的长度方向上排列；

所述第二芯片包括至少第三信号引脚和第四信号引脚，第三信号引脚和第四信号引脚在所述金属基底的长度方向上排列；

所述电连接引线至少包括第一连接线、第二连接线、第三连接线、第四连接线；

所述第一芯片的第一信号引脚经第一连接线电连接至所述第一铜箔的第二端；

所述第一芯片的第二信号引脚经第二连接线电连接至所述第二铜箔的第一端；

所述第二芯片的第三信号引脚经第三连接线电连接至所述第一铜箔；

所述第二芯片的第四信号引脚经第四连接线电连接至所述第二铜箔。

5.如权利要求4所述的半导体功率模块，其特征在于，

所述第二铜箔靠近于所述第一芯片的第一端向着所述第一芯片延伸，使得所述第一端呈L型；

所述第一连接线电连接于所述第一端处；

所述第一铜箔靠近于所述第一芯片的第二端呈直线型，所述第二连接线电连接至所述第二端处。

6.如权利要求5所述的半导体功率模块，其特征在于，

所述第三连接线和第四连接线分别电连接至所述第一铜箔和第二铜箔的中部，且第三连接线和第四连接线的连接位置不平行于所述金属基底的长度方向。

7.如权利要求6所述的半导体功率模块，其特征在于，

所述引脚突出于所述半导体芯片上远离于所述金属基底的表面。

8.如权利要求1所述的半导体功率模块，其特征在于，

所述电连接引线由铜、铝或金制成。

9.如权利要求8所述的半导体功率模块，其特征在于，

所述金属基底由铜制成。

10.如权利要求8所述的半导体功率模块，其特征在于，

所述金属基底由铜合金制成。