[实用新型]半导体工艺腔室有效
| 申请号： | 202220703363.1 | 申请日： | 2022-03-29 |
| 公开（公告）号： | CN217214636U | 公开（公告）日： | 2022-08-16 |
| 发明（设计）人： | 周志文 | 申请（专利权）人： | 北京北方华创微电子装备有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/205 | 分类号： | H01L21/205;H01L21/67 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人： | 彭瑞欣;王婷 |
| 地址： | 100176 北京*** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本实用新型提供一种半导体工艺腔室，腔体开设有供工艺气体进入的进气孔；承载件承载晶圆；第一导流件环绕承载件设置，第二导流件与第一导流件相对设置，并与第一导流件之间形成有进气导流通道，进气导流通道的进气口与进气孔连通，出气口位于承载件的上方；第二导流件具有形成进气导流通道和进气导流通道的出气口的进气导流面，进气导流面设置有导流结构，导流结构对经进气导流通道流向出气口的工艺气体进行导流，阻挡工艺气体沿出气口的径向流动，使工艺气体沿出气口的轴向从承载件的上方空间流过。本实用新型提供的半导体工艺腔室能够提高晶圆上方的工艺气体的气流场的均匀性，提高外延膜层的厚度均匀性及电阻率均匀性等指标，改善工艺结果。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 工艺 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
