[实用新型]半导体工艺腔室

权利要求书

1.一种半导体工艺腔室，其特征在于，包括腔体和设置在所述腔体内的承载件、第一导流件和第二导流件，所述腔体开设有供工艺气体进入所述腔体内的进气孔；所述承载件用于承载晶圆；

所述第一导流件环绕所述承载件设置，所述第二导流件与所述第一导流件相对设置，所述第一导流件与所述第二导流件之间形成有进气导流通道，所述进气导流通道的进气口与所述进气孔连通，所述进气导流通道的出气口位于所述承载件的上方；

所述第二导流件具有用于形成所述进气导流通道和所述进气导流通道的出气口的进气导流面，所述进气导流面设置有导流结构，所述导流结构用于对经所述进气导流通道流向所述出气口的所述工艺气体进行导流，阻挡所述工艺气体沿所述出气口的径向流动，使所述工艺气体沿所述出气口的轴向从所述承载件的上方空间流过。

2.根据权利要求1所述的半导体工艺腔室，其特征在于，所述导流结构包括多个弧形凹面，多个所述弧形凹面沿所述进气导流面的延伸方向连续设置，且多个弧形凹面的轴线均与所述出气口的轴线平行。

3.根据权利要求2所述的半导体工艺腔室，其特征在于，所述进气导流面在所述第一导流件上的正投影呈弧形，多个所述弧形凹面沿所述进气导流面在所述第一导流件上的正投影所呈的弧形连续设置。

4.根据权利要求1所述的半导体工艺腔室，其特征在于，所述腔体还开设有供所述腔体内的所述工艺气体排出至所述腔体外的排气孔，所述第一导流件与所述第二导流件之间还形成有排气导流通道，所述排气导流通道的进气口位于所述承载件的上方，所述排气导流通道的出气口与所述排气孔连通；

所述第二导流件还具有用于形成所述排气导流通道和所述排气导流通道的出气口的排气导流面，所述排气导流面设置有第一缓流结构，所述第一缓流结构用于减缓经所述排气导流通道流向所述排气导流通道的出气口的所述工艺气体的流速。

5.根据权利要求4所述的半导体工艺腔室，其特征在于，所述排气导流面在所述第一导流件上的正投影呈弧形，所述第一缓流结构包括多个缓流凹槽，多个所述缓流凹槽沿所述排气导流面在所述第一导流件上的正投影所呈的弧形间隔设置，各所述缓流凹槽在所述排气导流面的径向上均位于所述排气导流面的中部。

6.根据权利要求2所述的半导体工艺腔室，其特征在于，所述第一导流件上设置有导流槽结构，所述导流槽结构与所述导流结构相对设置，用于形成所述进气导流通道；

所述第一导流件的与所述进气导流面相对的部分在所述第二导流件上的正投影呈弧形，所述导流槽结构包括多个导流槽，多个所述导流槽沿所述第一导流件的与所述进气导流面相对的部分在所述第二导流件上的正投影所呈的弧形间隔设置，且多个所述导流槽的槽底面与多个所述弧形凹面相对，所述导流槽的槽底面、所述导流槽的一侧槽壁和所述弧形凹面用于配合形成所述进气导流通道。

7.根据权利要求4所述的半导体工艺腔室，其特征在于，所述第一导流件的与所述排气导流面相对的部分中设置有第二缓流结构，所述第二缓流结构位于所述承载件的下方，并分别与所述腔体内和所述排气导流通道连通，用于减缓所述腔体内位于所述承载件下方的气体流向所述排气导流通道的流速。

8.根据权利要求7所述的半导体工艺腔室，其特征在于，所述第一导流件的与所述排气导流面相对的部分在所述第二导流件上的正投影呈弧形，所述第二缓流结构包括多个缓流孔，多个所述缓流孔沿所述第一导流件的与所述排气导流面相对的部分在所述第二导流件上的正投影所呈的弧形间隔设置。

9.根据权利要求1所述的半导体工艺腔室，其特征在于，所述半导体工艺腔室还包括设置在所述腔体外的进气管和第一进气匀流件，所述进气管与所述第一进气匀流件连通，用于向所述第一进气匀流件中通入所述工艺气体，所述第一进气匀流件与所述进气孔连通，用于对通入至其中的所述工艺气体进行匀流，并将所述工艺气体输送向所述腔体内。

10.根据权利要求1所述的半导体工艺腔室，其特征在于，所述半导体工艺腔室还包括第二进气匀流件，所述第二进气匀流件设置在所述进气孔中，用于对流经所述进气孔的所述工艺气体进行匀流。