[实用新型]半导体工艺腔室

说明书

本实用新型提供一种半导体工艺腔室，腔体开设有供工艺气体进入的进气孔；承载件承载晶圆；第一导流件环绕承载件设置，第二导流件与第一导流件相对设置，并与第一导流件之间形成有进气导流通道，进气导流通道的进气口与进气孔连通，出气口位于承载件的上方；第二导流件具有形成进气导流通道和进气导流通道的出气口的进气导流面，进气导流面设置有导流结构，导流结构对经进气导流通道流向出气口的工艺气体进行导流，阻挡工艺气体沿出气口的径向流动，使工艺气体沿出气口的轴向从承载件的上方空间流过。本实用新型提供的半导体工艺腔室能够提高晶圆上方的工艺气体的气流场的均匀性，提高外延膜层的厚度均匀性及电阻率均匀性等指标，改善工艺结果。

技术领域

本实用新型涉及半导体设备技术领域，具体地，涉及一种半导体工艺腔室。

背景技术

在化学气相沉积外延生长工艺中，通过向半导体工艺腔室中输送反应气体，并通过加热方式使工艺气体发生化学反应，在晶圆上生长沉积原子，进而在晶圆上外延生长出单晶层。在外延生长过程中，晶圆上方的工艺气体的气流场的均匀性，对于外延膜层的厚度均匀性及电阻率均匀性等指标具有重要影响。

在现有的一种外延工艺腔室中，腔体的侧壁开设有供工艺气体进入腔体内的进气口，腔体内设置有下导流环、上导流环和基座，基座用于承载晶圆，下导流环环绕基座设置，上导流环与下导流环相对设置，二者相对的环形表面之间形成有进气导流通道，进气导流通道的一端口与进气口连通，另一端口与基座上方的空间连通。在外延工艺过程中，工艺气体经过进气口进入该进气导流通道，并经过进气导流通道的导流，被导流至基座的上方，从而能够从晶圆的上方流过。一般而言，工艺气体沿腔体侧壁的进气口输入，经进气导流通道自下而上进行传输，然后经上导流环的朝向基座上方空间延伸的部分的下表面碰撞，导致气流方向发生改变，最终实现从晶圆的上方流过。

但是，由于上导流环的上述下表面为平面(平坦表面)，因此，工艺气体在与上导流环的呈平面的下表面碰撞后，会在该平面的导流下，沿上导流环的下表面向腔体的两侧扩散，导致晶圆上方的工艺气体的气流场的均匀性较差，影响外延膜层的厚度均匀性及电阻率均匀性等指标，对工艺结果造成影响。

实用新型内容

本实用新型旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一，提出了一种半导体工艺腔室，其能够提高晶圆上方的工艺气体的气流场的均匀性，提高外延膜层的厚度均匀性及电阻率均匀性等指标，从而改善工艺结果。

为实现本实用新型的目的而提供一种半导体工艺腔室，包括腔体和设置在所述腔体内的承载件、第一导流件和第二导流件，所述腔体开设有供工艺气体进入所述腔体内的进气孔；所述承载件用于承载晶圆；

所述第一导流件环绕所述承载件设置，所述第二导流件与所述第一导流件相对设置，所述第一导流件与所述第二导流件之间形成有进气导流通道，所述进气导流通道的进气口与所述进气孔连通，所述进气导流通道的出气口位于所述承载件的上方；

所述第二导流件具有用于形成所述进气导流通道和所述进气导流通道的出气口的进气导流面，所述进气导流面设置有导流结构，所述导流结构用于对经所述进气导流通道流向所述出气口的所述工艺气体进行导流，阻挡所述工艺气体沿所述出气口的径向流动，使所述工艺气体沿所述出气口的轴向从所述承载件的上方空间流过。

可选的，所述导流结构包括多个弧形凹面，多个所述弧形凹面沿所述进气导流面的延伸方向连续设置，且多个弧形凹面的轴线均与所述出气口的轴线平行。

可选的，所述进气导流面在所述第一导流件上的正投影呈弧形，多个所述弧形凹面沿所述进气导流面在所述第一导流件上的正投影所呈的弧形连续设置。

可选的，所述腔体还开设有供所述腔体内的所述工艺气体排出至所述腔体外的排气孔，所述第一导流件与所述第二导流件之间还形成有排气导流通道，所述排气导流通道的进气口位于所述承载件的上方，所述排气导流通道的出气口与所述排气孔连通；