[发明专利]发光二极管及其制备方法在审
| 申请号： | 202211429462.6 | 申请日： | 2022-11-15 |
| 公开（公告）号： | CN115799403A | 公开（公告）日： | 2023-03-14 |
| 发明（设计）人： | 陈张笑雄;龚逸品;王江波 | 申请（专利权）人： | 华灿光电（苏州）有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L33/32;H01L33/06;H01L33/38 |
| 代理公司： | 北京三高永信知识产权代理有限责任公司 11138 | 代理人： | 吕耀萍 |
| 地址： | 215600 江苏省苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： |
本公开提供了一种发光二极管及其制备方法，属于半导体技术领域。该发光二极管包括衬底，以及依次生在衬底上的n型半导体层、复合发光层和透明导电层；复合发光层包括多个纳米线结构和散射介质，多个纳米线结构沿生长方向延伸，且相互平行间隔排布，散射介质填充在多个纳米线结构之间，散射介质为SiO |
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| 搜索关键词： | 发光二极管 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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