[发明专利]发光二极管及其制备方法

说明书

本公开提供了一种发光二极管及其制备方法，属于半导体技术领域。该发光二极管包括衬底，以及依次生在衬底上的n型半导体层、复合发光层和透明导电层；复合发光层包括多个纳米线结构和散射介质，多个纳米线结构沿生长方向延伸，且相互平行间隔排布，散射介质填充在多个纳米线结构之间，散射介质为SiO₂复合Ag粒子散射介质。本公开能够提高匀光效果。

技术领域

本公开属于半导体技术领域，特别涉及一种发光二极管及其制备方法。

背景技术

发光二极管(Light Emitting Diode，LED)是一种可以将电能直接转化为光能的半导体光电器件，由于其具有能源利用率高、响应速度快、使用寿命长以及环境友好等特点，当前已经受到越来越多的关注。

在相关技术中，发光二极管被用于制作mini-LED背光模组，由于各发光二极管之间互不相互干扰，所以配置有mini-LED背光模组的液晶显示器(Liquid Crystal Display，LCD)，能够具有较高的峰值亮度和理想的暗态区域。

然而，由于mini-LED背光模组通过空间分割背光单元(BLU)来实现局部调光，所以导致空间分割背光单元(BLU)会反过来影响mini-LED背光模组的匀光效果。

发明内容

本公开实施例提供了一种发光二极管及其制备方法，能够提高匀光效果。所述技术方案如下：

一方面，本公开实施例提供了一种发光二极管，包括衬底，以及依次生在所述衬底上的n型半导体层、复合发光层和透明导电层；

所述复合发光层包括多个纳米线结构和散射介质，多个所述纳米线结构沿生长方向延伸，且相互平行间隔排布，所述散射介质填充在多个所述纳米线结构之间，所述散射介质为SiO₂复合Ag粒子散射介质。

在本公开的一种实现方式中，所述纳米线结构包括依次叠设的浅阱层、MQW发光层、P型半导体层。

在本公开的一种实现方式中，所述n型半导体层包括依次叠设的缓冲层、n掺三维层、n掺二维层和n型GaN层。

另一方面，本公开实施例提供了一种发光二极管的制备方法，包括：

提供一衬底；

在所述衬底上生长n型半导体层；

在所述n型半导体层上制备多个纳米线结构；

在多个所述纳米线结构之间填充散射介质，所述散射介质为SiO₂复合Ag粒子散射介质；

在所述纳米线结构和所述散射介质远离所述衬底的一面制备透明导电层。

在本公开的一种实现方式中，在所述n型半导体层上制备多个纳米线结构，包括：

在所述n型半导体层上依次生长浅阱层、MQW发光层、P型半导体层；

在所述P型半导体层上形成刻蚀掩膜层；

基于所述刻蚀掩膜层，由所述P型半导体层刻蚀至所述n型半导体层背离所述衬底的一面，从而形成多个纳米线结构。

在本公开的一种实现方式中，在所述P型半导体层上形成刻蚀掩膜层，包括：

在所述P型半导体层上沉积SiO₂层；

在所述SiO₂层上制备Cr硬质掩膜层；

在所述Cr硬质掩膜层上旋涂PS球颗粒层；

基于所述PS球颗粒层，由所述Cr硬质掩膜层刻蚀至所述P型半导体层背离所述衬底的一面，使得未被刻蚀的所述Cr硬质掩膜层和所述SiO₂层作为刻蚀掩膜层。