[发明专利]发光二极管及其制备方法

权利要求书

1.一种发光二极管，其特征在于，包括衬底(10)，以及依次生在所述衬底(10)上的n型半导体层(80)、复合发光层(40)和透明导电层(50)；

所述复合发光层(40)包括多个纳米线结构(410)和散射介质(420)，多个所述纳米线结构(410)沿生长方向延伸，且相互平行间隔排布，所述散射介质(420)填充在多个所述纳米线结构(410)之间，所述散射介质(420)为SiO₂复合Ag粒子散射介质(420)。

2.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，所述纳米线结构(410)包括依次叠设的浅阱层(411)、MQW发光层(412)、P型半导体层(416)。

3.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，所述n型半导体层(80)包括依次叠设的缓冲层(20)、n掺三维层(60)、n掺二维层(70)和n型GaN层(30)。

4.一种发光二极管的制备方法，其特征在于，包括：

提供一衬底(10)；

在所述衬底(10)上生长n型半导体层(80)；

在所述n型半导体层(80)上制备多个纳米线结构(410)；

在多个所述纳米线结构(410)之间填充散射介质(420)，所述散射介质(420)为SiO₂复合Ag粒子散射介质(420)；

在所述纳米线结构(410)和所述散射介质(420)远离所述衬底(10)的一面制备透明导电层(50)。

5.根据权利要求4所述的制备方法，其特征在于，在所述n型半导体层(80)上制备多个纳米线结构(410)，包括：

在所述n型半导体层(80)上依次生长浅阱层(411)、MQW发光层(412)、P型半导体层(416)；

在所述P型半导体层(416)上形成刻蚀掩膜层；

基于所述刻蚀掩膜层，由所述P型半导体层(416)刻蚀至所述n型半导体层(80)背离所述衬底(10)的一面，从而形成多个纳米线结构(410)。

6.根据权利要求5所述的制备方法，其特征在于，在所述P型半导体层(416)上形成刻蚀掩膜层，包括：

在所述P型半导体层(416)上沉积SiO₂层(430)；

在所述SiO₂层(430)上制备Cr硬质掩膜层(440)；

在所述Cr硬质掩膜层(440)上旋涂PS球颗粒层(450)；

基于所述PS球颗粒层(450)，由所述Cr硬质掩膜层(440)刻蚀至所述P型半导体层(416)背离所述衬底(10)的一面，使得未被刻蚀的所述Cr硬质掩膜层(440)和所述SiO₂层(430)作为刻蚀掩膜层。

7.根据权利要求6所述的制备方法，其特征在于，基于所述PS球颗粒层(450)，由所述Cr硬质掩膜层(440)刻蚀至所述P型半导体层(416)背离所述衬底(10)的一面，包括：

进行等离子体反应刻蚀，由所述Cr硬质掩膜层(440)刻蚀至所述SiO₂层(430)背离所述衬底(10)的一面，刻蚀的部分为所述PS球颗粒层(450)中各PS球颗粒之间的空隙内的所述Cr硬质掩膜层(440)；

进行基于CF₄^-的反应离子刻蚀，由所述SiO₂层(430)刻蚀至所述P型半导体层(416)背离所述衬底(10)的一面，未刻蚀的部分为所述PS球颗粒层(450)中各PS球颗粒在所述SiO₂层(430)上的正投影。