[发明专利]具有图案化的贯穿电介质过孔和再分布层的封装架构在审
| 申请号： | 202211389795.0 | 申请日： | 2022-11-08 |
| 公开（公告）号： | CN116344502A | 公开（公告）日： | 2023-06-27 |
| 发明（设计）人： | A·A·埃尔谢尔比尼;C·M·佩尔托;K·俊;B·M·罗林斯;S·M·利夫;B·A·杰克逊;R·J·穆诺茨;J·M·斯旺 | 申请（专利权）人： | 英特尔公司 |
| 主分类号： | H01L23/538 | 分类号： | H01L23/538;H01L25/16;H01L21/50;H01L21/60 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 林金朝 |
| 地址： | 美国加*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本文提供了一种具有图案化的贯穿电介质过孔和再分布层的封装架构。提供了一种微电子组件，该微电子组件包括：位于第一层中的第一多个集成电路(IC)管芯；位于第二层中的第二多个IC管芯；以及位于第三层中的第三多个IC管芯，其中：第二层位于第一层和第三层之间，位于两个相邻层之间的界面包括在互连中的相邻互连之间具有小于10微米的间距的互连，并且第一层、第二层和第三层中的每个包括电介质材料，并且还包括在电介质材料中的导电迹线。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 图案 贯穿 电介质 再分 封装 架构 | ||
【主权项】：
暂无信息
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