[发明专利]具有图案化的贯穿电介质过孔和再分布层的封装架构

权利要求书

1.一种微电子组件，包括：

位于第一层中的第一多个集成电路(IC)管芯；

位于第二层中的第二多个IC管芯；以及

位于第三层中的第三多个IC管芯，

其中：

所述第二层位于所述第一层和所述第三层之间，

位于两个相邻层之间的界面包括互连，所述互连在所述互连中的相邻互连之间具有小于10微米的间距，并且

所述第一层、所述第二层和所述第三层中的每个包括电介质材料，并且还包括在所述电介质材料中的导电迹线。

2.根据权利要求1所述的微电子组件，其中，所述导电迹线耦合到所述电介质材料中的电感器、变压器、电容器和电阻器中的一个或多个。

3.根据权利要求1所述的微电子组件，其中，所述导电迹线的一部分被配置用于电源分配。

4.根据权利要求3所述的微电子组件，其中，所述部分包括电源平面。

5.根据权利要求1所述的微电子组件，其中，所述导电迹线的一部分被配置为对电信号进行布线。

6.根据权利要求5所述的微电子组件，其中，所述电信号包括高频信号和射频(RF)信号中的至少一个。

7.根据权利要求1所述的微电子组件，其中，所述电介质材料包括氧、碳和氮中的至少一种与硅的化合物。

8.根据权利要求1-7中任何一项所述的微电子组件，还包括在所述电介质材料中的贯穿电介质材料过孔(TDV)，以将所述导电迹线与所述第一多个IC管芯、所述第二多个IC管芯和所述第三多个IC管芯中的至少一个电耦合。

9.一种IC封装，包括：

位于第一层中的第一IC管芯；

位于第二层中的第二IC管芯；

导电迹线；以及

耦合到所述第一层的封装基板，

其中：

位于所述第一层和所述第二层之间的界面包括互连，所述互连在所述互连中的相邻互连之间具有小于10微米的间距，

所述第一层和所述第二层包括电介质材料，并且

贯穿电介质过孔(TDV)和所述导电迹线位于所述电介质材料中。

10.根据权利要求9所述的IC封装，其中，所述电介质材料包括氧、碳和氮中的至少一种与硅的化合物。

11.根据权利要求9所述的IC封装，其中，所述TDV被配置为将所述导电迹线与所述第二IC管芯电耦合。

12.根据权利要求9所述的IC封装，其中，所述TDV被配置为将所述导电迹线与所述封装基板电耦合。

13.根据权利要求9所述的IC封装，其中，所述互连包括第一互连，并且所述IC封装还包括位于第三层中的第三IC管芯，所述第三层由第二互连耦合到所述第二层，所述第二互连在所述第二互连中的相邻的第二互连之间具有小于10微米的间距。

14.根据权利要求13所述的IC封装，其中，所述TDV被配置为将所述第三IC管芯与所述导电迹线电耦合。

15.根据权利要求13所述的IC封装，其中，所述TDV被配置为将所述第三层与所述第一层电耦合。

16.根据权利要求13所述的IC封装，其中，所述TDV被配置为将所述第三层与所述封装基板电耦合。