[发明专利]具有图案化的贯穿电介质过孔和再分布层的封装架构

说明书

本文提供了一种具有图案化的贯穿电介质过孔和再分布层的封装架构。提供了一种微电子组件，该微电子组件包括：位于第一层中的第一多个集成电路(IC)管芯；位于第二层中的第二多个IC管芯；以及位于第三层中的第三多个IC管芯，其中：第二层位于第一层和第三层之间，位于两个相邻层之间的界面包括在互连中的相邻互连之间具有小于10微米的间距的互连，并且第一层、第二层和第三层中的每个包括电介质材料，并且还包括在电介质材料中的导电迹线。

技术领域

本公开涉及针对在半导体集成电路(IC)封装中具有图案化的贯穿电介质过孔(TDV)和再 分布层(RDL)的封装架构的技术、方法和设备。

背景技术

通常制作在半导体材料(例如硅)的晶片上的电子电路被称为IC。具有这样的IC的晶片典型 地被切割成众多的单个管芯。管芯可以被封装到含有一个或多个管芯以及其它电子部件(例如电阻 器、电容器和电感器)的IC封装中。IC封装可以被集成到电子系统(例如消费者电子系统)或服 务器(例如大型机)上。

附图说明

通过以下结合附图的详细描述，将容易理解实施例。为了便于描述，类似的附图标记指代类 似的结构元件。在附图的各图中以示例的方式而非以限制的方式示出实施例。

图1A是根据本公开的一些实施例的示例性微电子组件的简化的横截面图。

图1B是在图1A的示例性微电子组件内的平面的简化的顶视图。

图1C是根据本公开的一些实施例的在图1A的示例性微电子组件中的示例性混合接合的简化 的横截面图。

图2是根据本公开的一些实施例的另一示例性微电子组件的简化的横截面图。

图3是根据本公开的一些实施例的又一示例性微电子组件的简化的横截面图。

图4是根据本公开的一些实施例的又一示例性微电子组件的简化的横截面图。

图5A-图5G是根据本公开的一些实施例的示例性微电子组件的制造的各个阶段的简化的横截 面图。

图6A-图6G是根据本公开的一些实施例的示例性微电子组件的制造的各个阶段的简化的横截 面图。

图7是根据本公开的一些实施例的制作微电子组件的示例性方法的简化的流程图。

图8是根据本公开的一些实施例的制作微电子组件的另一示例性方法的简化的流程图。

图9是根据本文公开的任何实施例的包括一个或多个微电子组件的装置封装的横截面图。

图10是根据本文公开的任何实施例的包括一个或多个微电子组件的装置组件的横截面侧视图。

图11是根据本文公开的任何实施例的包括一个或多个微电子组件的示例性计算装置的框图。

具体实施方式

概述

为了说明本文所描述的IC封装的目的，重要的是理解在IC的组装和封装期间可能发挥作用 的现象。以下基本信息可以被视为可以正确解释本公开的基础。这样的信息仅是为了解释的目的而 给出的，并且因此不应以任何方式解释为限制本公开及其潜在应用的广泛范围。

半导体处理和逻辑设计的进步已允许增加在处理器和其它IC装置中可以包括的逻辑电路的数 量。因此，许多处理器现在具有被单片地集成在单一管芯上的多个核心。一般而言，这些类型的单 片IC也被描述为平面的，因为它们采取平坦表面的形式并且典型地被构建在由单晶硅晶锭制成的单 一硅晶片上。用于这样的单片IC的典型的制造工艺被称为平面工艺，其允许在晶片的表面上发生光 刻、蚀刻、热扩散、氧化和其它这样的工艺，使得有源电路元件(例如，晶体管和二极管)形成在 硅晶片的平坦表面上。