[发明专利]一种半导体结构及其制造方法

摘要

本发明公开了一种半导体结构及其制造方法，所述半导体结构至少包括：衬底；浅槽隔离结构，设置在衬底上，且浅槽隔离结构包括凸部，且凸部超出衬底的表面；堆叠结构，设置在衬底上和浅槽隔离结构上；沉积通道，穿过堆叠结构与衬底和/或凸部的表面接触，沉积通道设置在衬底的高压器件区上；台阶结构，设置在凸部上，且台阶结构位于沉积通道内，台阶结构的表面高于衬底的表面，且台阶结构的高度小于凸部的高度；栅氧化层，设置在衬底上，栅氧化层位于沉积通道内，且栅氧化层和台阶结构之间具有间隙；以及多晶硅层，覆盖在栅氧化层和台阶结构上。本发明提供了一种半导体结构及其制造方法，能够提升半导体器件的电学性能。