[发明专利]半导体互连结构的制备方法有效
| 申请号： | 202211264321.3 | 申请日： | 2022-10-17 |
| 公开（公告）号： | CN115332169B | 公开（公告）日： | 2023-01-03 |
| 发明（设计）人： | 陈彦亨;林正忠 | 申请（专利权）人： | 盛合晶微半导体（江阴）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 | 代理人： | 余明伟 |
| 地址： | 214437 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种半导体互连结构的制备方法，在第一半导体基底的表面形成电性连接的第一金属互连层、在第二半导体基底的表面形成电性连接的第二金属互连层，并于第一金属互连层及第二金属互连层中的至少一个的表面边缘形成键合件，基于键合件提供位于第一金属件与第二金属件之间的连接空间，在进行键合工艺后，采用化学镀形成金属互连件以连接第一金属互连层中的第一金属件与第二金属互连层中的第二金属件，从而可通过化学镀的方式使得第一金属件与第二金属件实现良好的电性互连，制程中第一金属件与第二金属件具有良好的平坦度，且制程所需成本较低，从而可以进行高密度集成封装，实现高效率、低成本、工艺制程易控、适用范围广的半导体互连。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 互连 结构 制备 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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