[发明专利]半导体互连结构的制备方法

权利要求书

1.一种半导体互连结构的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

提供第一半导体基底，所述第一半导体基底包括第一连接件；

于所述第一半导体基底的表面形成第一金属互连层，所述第一金属互连层包括第一介电层及第一金属件，所述第一金属件贯穿所述第一介电层且与所述第一连接件电连接，形成所述第一金属互连层的步骤包括于所述第一连接件上形成第一金属件，于所述第一半导体基底表面形成覆盖所述第一金属件的第一介电层，以及研磨所述第一介电层显露所述第一金属件；

提供第二半导体基底，所述第二半导体基底包括第二连接件；

于所述第二半导体基底的表面形成第二金属互连层，所述第二金属互连层包括第二介电层及第二金属件，所述第二金属件贯穿所述第二介电层且与所述第二连接件电连接，形成所述第二金属互连层的步骤包括于所述第二连接件上形成第二金属件，于所述第二半导体基底表面形成覆盖所述第二金属件的第二介电层，以及研磨所述第二介电层显露所述第二金属件；

于所述第一金属互连层及所述第二金属互连层中的至少一个的表面边缘形成键合件；

基于所述键合件将所述第一金属互连层及所述第二金属互连层键合，且键合后的所述第一金属件与所述第二金属件之间具有相对设置的连接空间；

采用化学镀，于所述连接空间处形成金属互连件以连接所述第一金属件与所述第二金属件；

形成底部填充层，填充所述第一金属互连层及所述第二金属互连层之间的间隙。

2.根据权利要求1所述的半导体互连结构的制备方法，其特征在于：键合后，所述第一金属件的中心线与所述第二金属件的中心线相重合。

3.根据权利要求1所述的半导体互连结构的制备方法，其特征在于：键合后，所述第一金属互连层与所述第二金属互连层之间的竖向距离为10μm~50μm。

4.根据权利要求1所述的半导体互连结构的制备方法，其特征在于：所述键合件包括热固型键合件或UV键合件。

5.根据权利要求1所述的半导体互连结构的制备方法，其特征在于：所述第一半导体基底为晶圆，所述第二半导体基底为晶圆。

6.根据权利要求5所述的半导体互连结构的制备方法，其特征在于：在形成所述键合件及进行所述键合步骤之间，还包括对所述第一半导体基底或所述第二半导体基底进行切割形成芯片的步骤，且所述键合件位于所述芯片的边缘。

7.根据权利要求6所述的半导体互连结构的制备方法，其特征在于：未被切割的半导体基底包括TSV转接板。

8.根据权利要求1所述的半导体互连结构的制备方法，其特征在于：所述第一半导体基底包括HBM TSV晶圆，所述第二半导体基底包括HBM TSV晶圆。

9.根据权利要求8所述的半导体互连结构的制备方法，其特征在于：还包括研磨所述HBM TSV晶圆以显露TSV以及重复进行键合的步骤以制备HBM堆栈互连结构，其中堆栈的层数包括N层，N≥2。