[发明专利]外延层的制备方法以及含外延层的半导体在审
| 申请号： | 202211244026.1 | 申请日： | 2022-10-12 |
| 公开（公告）号： | CN115305566A | 公开（公告）日： | 2022-11-08 |
| 发明（设计）人： | 付志强;朱红波;苏小鹏 | 申请（专利权）人： | 广州粤芯半导体技术有限公司 |
| 主分类号： | C30B25/20 | 分类号： | C30B25/20;C30B29/06;H01L21/02 |
| 代理公司： | 上海思捷知识产权代理有限公司 31295 | 代理人： | 尤彩红 |
| 地址： | 510000 广*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种外延层的制备方法以及含外延层的半导体，制备方法包括：提供一衬底；在外延腔室的内壁形成硅膜层，所述硅膜层不掺杂；在所述外延腔室内生长位于所述衬底上的第一外延层，所述第一外延层不掺杂或者低掺杂；在所述外延腔室内生长位于所述第一外延层上的第二外延层，所述第二外延层掺杂。在外延腔室的内壁形成硅膜层，避免外延腔室的杂质扩散掺杂到后续形成的第一外延层和第二外延层，降低了自掺杂效应；衬底与第二外延层之间间隔第一外延层，第一外延层不掺杂或者低掺杂，通过第一外延层的过渡或间隔，避免了衬底中的杂质向第二外延层的扩散，第二外延层为产品真正起作用的外延层，降低了自掺杂效应，提高了掺杂均匀性。 | ||
| 搜索关键词： | 外延 制备 方法 以及 半导体 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于广州粤芯半导体技术有限公司，未经广州粤芯半导体技术有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202211244026.1/，转载请声明来源钻瓜专利网。
