[发明专利]硫掺杂的氧化铟半导体薄膜、薄膜晶体管及其制备方法在审
| 申请号： | 202211240509.4 | 申请日： | 2022-10-11 |
| 公开（公告）号： | CN115911104A | 公开（公告）日： | 2023-04-04 |
| 发明（设计）人： | 许望颖;许楚瑜 | 申请（专利权）人： | 集美大学 |
| 主分类号： | H01L29/24 | 分类号： | H01L29/24;H01L21/02;H01L21/34;H01L29/786;C01G15/00 |
| 代理公司： | 深圳市君胜知识产权代理事务所(普通合伙) 44268 | 代理人： | 刘芙蓉 |
| 地址： | 361021 福*** | 国省代码： | 福建;35 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： |
本发明提供了一种硫掺杂的氧化铟半导体薄膜、薄膜晶体管及其制备方法，利用水溶液法制备了不同S掺杂量的In‑S‑O薄膜。随着S掺杂量的增加，In‑S‑O薄膜的结构未发生明显改变，所得In‑S‑O薄膜的晶格常数下降，晶粒尺寸减小；而且In‑S‑O薄膜表面均非常光滑，不会对表面粗糙度有明显影响，结晶性良好，原子排列规整，薄膜的质量良好，且薄膜内O |
||
| 搜索关键词： | 掺杂 氧化 半导体 薄膜 薄膜晶体管 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于集美大学，未经集美大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202211240509.4/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
