[发明专利]硫掺杂的氧化铟半导体薄膜、薄膜晶体管及其制备方法

权利要求书

1.一种硫掺杂的氧化铟半导体薄膜，其特征在于，所述氧化铟半导体薄膜中掺杂有硫。

2.根据权利要求1所述的硫掺杂的氧化铟半导体薄膜，其特征在于，所述氧化铟半导体薄膜中硫的摩尔含量为0-2％。

3.一种硫掺杂的氧化铟半导体薄膜的应用，其特征在于，将如权利要求1-2任一所述的硫掺杂的氧化铟半导体薄膜应用于薄膜晶体管中。

4.一种薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，包括步骤：

按照预定比例称量In(NO₃)₃·xH₂O和H₂SO₄并混合到水中，室温搅拌至溶液呈透明状，得到预定浓度的前驱体溶液；

提供衬底，并在衬底上生长SiO₂栅介电层，得到SiO₂栅介电层/衬底；

将所述预定浓度的前驱体溶液旋涂在SiO₂栅介电层/衬底的SiO₂栅介电层上，随后进行退火处理，形成In-S-O薄膜/SiO₂栅介电层/衬底；

将金属掩模版覆盖在所述In-S-O薄膜/SiO₂栅介电层/衬底的In-S-O薄膜上，并通过热蒸镀将源电极、漏电极蒸镀在所述In-S-O薄膜上，制备得到所述薄膜晶体管。

5.根据权利要求4所述的薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，所述预定浓度的前驱体溶液中，H₂SO₄的摩尔比为0-2％。

6.根据权利要求4所述的薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，所述衬底包括硅片。

7.根据权利要求4所述的薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，所述旋涂的参数为3000～4500rpm旋涂20～30s。

8.根据权利要求4所述的薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，在旋涂之前还包括步骤：将生长了SiO₂栅介电层的衬底依次用丙酮、乙醇、去离子水进行超声清洗，用氮气吹干之后，再用氧等离子清洗。

9.根据权利要求4所述的薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，所述退火处理的条件为250～400℃下退火1～2h。

10.一种薄膜晶体管，其特征在于，采用如权利要求4-9任一所述的薄膜晶体管的制备方法制备得到。