[发明专利]一种低压电容过压保护器件芯片及其生产方法在审
申请号: | 202211220251.1 | 申请日: | 2022-09-30 |
公开(公告)号: | CN115513184A | 公开(公告)日: | 2022-12-23 |
发明(设计)人: | 宋能;印鹏;印辉;傅蓠烨;周茂 | 申请(专利权)人: | 深圳市领赛科技有限公司 |
主分类号: | H01L23/62 | 分类号: | H01L23/62;H01L23/498;H01L23/467;H01L23/427;H01L23/373;H01L23/367;H01L23/31;H01L23/00;H01L21/56;H01L21/50 |
代理公司: | 深圳市中科创为专利代理有限公司 44384 | 代理人: | 何路;游强 |
地址: | 518000 广东省深圳市南山区粤海*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | 本发明公开了一种低压电容过压保护器件芯片及其生产方法,包括保护器件本体,保护器件本体的顶部设置有上中空板,保护器件本体的底部设置有下中空板,保护器件本体包括内芯板,内芯板的两侧外壁焊接有引脚,内芯板的外部设置有封装体,封装体的顶部外壁设置有上安装槽,上中空板位于上安装槽的内部,上中空板的底部外壁设置有上导热层,上中空板的顶部外壁一体成型有均匀分布的散热板。本发明通过在保护器件本体上设置具有真空腔的上中空板,并在上中空板的内部注入纯水,使得保护器件本体在工作时能够对纯水进行蒸发,然后蒸发的纯水在顶部的毛细管层进行冷凝液化,使得低压电容过压保护器件芯片在使用时的散热性能更好。 | ||
搜索关键词: | 一种 低压 电容 保护 器件 芯片 及其 生产 方法 | ||
【主权项】:
暂无信息
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