[发明专利]一种低压电容过压保护器件芯片及其生产方法在审

专利信息
申请号: 202211220251.1 申请日: 2022-09-30
公开(公告)号: CN115513184A 公开(公告)日: 2022-12-23
发明(设计)人: 宋能;印鹏;印辉;傅蓠烨;周茂 申请(专利权)人: 深圳市领赛科技有限公司
主分类号: H01L23/62 分类号: H01L23/62;H01L23/498;H01L23/467;H01L23/427;H01L23/373;H01L23/367;H01L23/31;H01L23/00;H01L21/56;H01L21/50
代理公司: 深圳市中科创为专利代理有限公司 44384 代理人: 何路;游强
地址: 518000 广东省深圳市南山区粤海*** 国省代码: 广东;44
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摘要: 发明公开了一种低压电容过压保护器件芯片及其生产方法,包括保护器件本体,保护器件本体的顶部设置有上中空板,保护器件本体的底部设置有下中空板,保护器件本体包括内芯板,内芯板的两侧外壁焊接有引脚,内芯板的外部设置有封装体,封装体的顶部外壁设置有上安装槽,上中空板位于上安装槽的内部,上中空板的底部外壁设置有上导热层,上中空板的顶部外壁一体成型有均匀分布的散热板。本发明通过在保护器件本体上设置具有真空腔的上中空板,并在上中空板的内部注入纯水,使得保护器件本体在工作时能够对纯水进行蒸发,然后蒸发的纯水在顶部的毛细管层进行冷凝液化,使得低压电容过压保护器件芯片在使用时的散热性能更好。
搜索关键词: 一种 低压 电容 保护 器件 芯片 及其 生产 方法
【主权项】:
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