[发明专利]一种N极性GaN基整流芯片及其制备方法和应用在审
| 申请号： | 202211066312.3 | 申请日： | 2022-09-01 |
| 公开（公告）号： | CN115425092A | 公开（公告）日： | 2022-12-02 |
| 发明（设计）人： | 王文樑;李善杰;李国强 | 申请（专利权）人： | 华南理工大学 |
| 主分类号： | H01L29/872 | 分类号： | H01L29/872;H01L29/45;H01L29/47;H01L29/20;H01L29/205;H01L21/329 |
| 代理公司： | 广州嘉权专利商标事务所有限公司 44205 | 代理人： | 齐键 |
| 地址： | 510641 广*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种N极性GaN基整流芯片及其制备方法和应用。本发明的N极性GaN基整流芯片的组成包括依次层叠设置的SiC衬底、低温N极性GaN缓冲层、SiN插入层、高温N极性GaN缓冲层、AlGaN势垒层、N极性GaN沟道层和钝化层，还包括欧姆接触阴极、肖特基接触阳极和T型金属电极。本发明的N极性GaN基整流芯片具有频率特性好、势垒层高度小、欧姆接触电阻低、开启电压低等优点，其可以有效提升射频前端整流效率，适合在微波能量传输、探测、通信等领域进行大规模推广应用。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 极性 gan 整流 芯片 及其 制备 方法 应用 | ||
【主权项】：
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