[发明专利]半导体互连结构及其制造方法在审
| 申请号： | 202211049792.2 | 申请日： | 2022-08-30 |
| 公开（公告）号： | CN115360165A | 公开（公告）日： | 2022-11-18 |
| 发明（设计）人： | 李冰;遇寒;黄景丰;陈跃华 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/528 | 分类号： | H01L23/528;H01L21/768 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 张亚静 |
| 地址： | 201203 上海市浦东新区中*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种半导体互连结构及其制造方法，其中，所述半导体互连结构包括衬底，所述衬底上依次设置有第一介质层和第一金属层；第二介质层，设置于所述第一金属层上且覆盖所述第一金属层的表面；第一通孔，设置于所述第二介质层中且位于所述第一金属层的上方，所述第一通孔沿轴向的截面呈上宽下窄的碗型；第二金属层，设置于所述第二介质层上且填满所述第一通孔，所述第二金属层沿所述第一通孔的轴向的截面呈Y型。本发明通过形成截面呈碗型的第一通孔来形成截面呈Y型的第二金属层，提高了第二金属层的截面形状的周长，降低高频条件下趋肤效应带来的负面影响，从而降低损耗，提高了产品性能及可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 互连 结构 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
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