[发明专利]一种半导体工艺气体限流组件的控制方法、装置和设备在审
申请号: | 202210982801.7 | 申请日: | 2022-08-16 |
公开(公告)号: | CN115354313A | 公开(公告)日: | 2022-11-18 |
发明(设计)人: | 杨华龙;金基烈 | 申请(专利权)人: | 拓荆科技(上海)有限公司 |
主分类号: | C23C16/52 | 分类号: | C23C16/52;C23C16/455;H01L21/67 |
代理公司: | 上海恒锐佳知识产权代理事务所(普通合伙) 31286 | 代理人: | 黄海霞 |
地址: | 201306 上海市浦东新区*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 本发明提供了一种半导体工艺气体限流组件的控制方法、装置和设备;方法包括:处理单元获取晶圆膜厚的数据,根据各喷淋区的气体流量计算使得晶圆膜厚处于均匀状态时各喷淋区的气体流量对应的阈值;处理单元判断各喷淋区的气体流量是否处于阈值内;当至少一个喷淋区的气体流量处于阈值外时,处理单元根据限流组件的各分气开关组的工作状态和气体流经的各限流部的尺寸确定需要调整的至少一个目标分气开关组所对应的地址;处理单元向目标分气开关组所对应的地址发送调整信号,控制目标分气开关组改变工作状态,以使各喷淋区的气体流量均处于阈值内。该方法用于使喷淋板的各个喷淋区气体流量可调节为一致,提升晶圆表面薄膜沉积的质量。 | ||
搜索关键词: | 一种 半导体 工艺 气体 限流 组件 控制 方法 装置 设备 | ||
【主权项】:
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C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
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