[发明专利]一种半导体工艺气体限流组件的控制方法、装置和设备

说明书

本发明提供了一种半导体工艺气体限流组件的控制方法、装置和设备；方法包括：处理单元获取晶圆膜厚的数据，根据各喷淋区的气体流量计算使得晶圆膜厚处于均匀状态时各喷淋区的气体流量对应的阈值；处理单元判断各喷淋区的气体流量是否处于阈值内；当至少一个喷淋区的气体流量处于阈值外时，处理单元根据限流组件的各分气开关组的工作状态和气体流经的各限流部的尺寸确定需要调整的至少一个目标分气开关组所对应的地址；处理单元向目标分气开关组所对应的地址发送调整信号，控制目标分气开关组改变工作状态，以使各喷淋区的气体流量均处于阈值内。该方法用于使喷淋板的各个喷淋区气体流量可调节为一致，提升晶圆表面薄膜沉积的质量。

技术领域

本发明涉及半导体薄膜沉积及真空制造领域，尤其涉及一种半导体工艺气体限流组件的控制方法、装置和设备。

背景技术

喷淋板用于向多种制造工艺如化学气相沉积(Chemical Vapor Deposition，CVD)、金属有机气相沉积(Metal-organic Chemical Vapor Deposition，MOCVD)和原子层沉积(Atomic layer deposition，ALD)提供所需的一种或多种气体。

以双区喷淋板为例，理论上，从喷淋板出来的气体是均匀分布的，沉积在晶圆表面的薄膜也是均匀的，但可能由于喷淋板的加工误差、装配误差等种种原因，导致从喷淋板两个喷淋区喷出的气体流量不同，气体流量大的喷淋区沉积的薄膜厚，气体流量小的喷淋区沉积的薄膜薄，就会导致晶圆表面薄膜沉积的质量较差，这就需要双区喷淋板的内外区气体流量可调节为一致。因此，亟需一种半导体工艺气体限流组件的控制方法、装置和设备以改善上述问题。

发明内容

本发明的目的在于提供一种半导体工艺气体限流组件的控制方法、装置和设备，该方法用于根据工艺需求快速灵活地调整各喷淋区的气体流量，提升晶圆表面薄膜沉积的质量。

第一方面，本发明提供一种半导体工艺气体限流组件的控制方法，包括：处理单元获取各喷淋区所对应的限流组件的尺寸以及各分气开关组的工作状态，计算各喷淋区的气体流量；所述处理单元获取晶圆膜厚的数据，根据所述各喷淋区的气体流量计算使得所述晶圆膜厚处于均匀状态时各喷淋区的气体流量对应的阈值；所述处理单元判断所述各喷淋区的气体流量是否处于所述阈值内；当至少一个所述喷淋区的气体流量处于所述阈值外时，所述处理单元根据所述限流组件的各分气开关组的工作状态和气体流经的各限流部的尺寸确定需要调整的至少一个目标分气开关组所对应的地址；所述处理单元向所述目标分气开关组所对应的地址发送调整信号，控制所述目标分气开关组改变工作状态，以使所述各喷淋区的气体流量均处于所述阈值内。

本发明的方法有益效果为：通过处理单元获取各喷淋区所对应的限流组件的尺寸以及各分气开关组的工作状态，计算各喷淋区的气体流量；所述处理单元获取晶圆膜厚的数据，根据所述各喷淋区的气体流量计算使得所述晶圆膜厚处于均匀状态时各喷淋区的气体流量对应的阈值；所述处理单元判断所述各喷淋区的气体流量是否处于所述阈值内；当至少一个所述喷淋区的气体流量处于所述阈值外时，所述处理单元根据所述限流组件的各分气开关组的工作状态和气体流经的各限流部的尺寸确定需要调整的至少一个目标分气开关组所对应的地址；所述处理单元向所述目标分气开关组所对应的地址发送调整信号，控制所述目标分气开关组改变工作状态，以使所述各喷淋区的气体流量均处于所述阈值内。实现控制所述限流组件完成气体在晶圆表面的均匀沉积。有利于提升晶圆表面薄膜沉积的质量。