[发明专利]半导体装置在审
| 申请号： | 202210935342.7 | 申请日： | 2022-08-05 |
| 公开（公告）号： | CN115483264A | 公开（公告）日： | 2022-12-16 |
| 发明（设计）人： | 游家权;潘冠廷;朱熙甯;江国诚;王志豪 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L21/336;H01L29/78 |
| 代理公司： | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 聂慧荃 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 一种半导体装置，包括有源区，在基板上方沿着第一方向延伸，其中有源区包括从源极区通过通道区延伸到漏极区的导电路径；栅极电介质，在通道区的表面上；隔离鳍片，在有源区的第一侧，其中隔离鳍片包括：第一鳍片区，相邻源极区，且具有第一鳍片宽度；第二鳍片区，相邻通道区，且具有第二鳍片宽度；以及第三鳍片区，相邻漏极区，且具有第一鳍片宽度，其中第一鳍片宽度大于第二鳍片宽度；以及栅极电极，在通道区中抵接栅极电介质。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 | ||
【主权项】：
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