[发明专利]半导体装置

说明书

一种半导体装置，包括有源区，在基板上方沿着第一方向延伸，其中有源区包括从源极区通过通道区延伸到漏极区的导电路径；栅极电介质，在通道区的表面上；隔离鳍片，在有源区的第一侧，其中隔离鳍片包括：第一鳍片区，相邻源极区，且具有第一鳍片宽度；第二鳍片区，相邻通道区，且具有第二鳍片宽度；以及第三鳍片区，相邻漏极区，且具有第一鳍片宽度，其中第一鳍片宽度大于第二鳍片宽度；以及栅极电极，在通道区中抵接栅极电介质。

技术领域

本发明实施例涉及半导体装置，尤其涉及具有鳍片结构的半导体装置。

背景技术

随着半导体装置尺寸的缩小，制造工艺中的变异增加制造工艺错误的可能，而导致半导体装置的短路或开路。制造工艺变异包括不预期的图案偏移、不均匀的材料沉积厚度及/或蚀刻后残留在半导体装置上的残留物。偏移的图案会增加半导体装置中部件对不准的风险，而增加电介质击穿或意外短路的可能性。不均匀的沉积会导致蚀刻工艺可能会在这种材料的部位中意外露出装置中通常绝缘的部件。蚀刻残留物增加了短路的风险，因为导电或半导体材料在配置为电性隔离半导体装置元件的绝缘材料之下形成桥接。

发明内容

本发明实施例提供一种半导体结构，包括：有源区，在基板上方沿着第一方向延伸，其中有源区包括从源极区通过通道区延伸到漏极区的导电路径；栅极电介质，在通道区的表面上；隔离鳍片，在有源区的第一侧，其中隔离鳍片包括：第一鳍片区，相邻源极区，且具有第一鳍片宽度；第二鳍片区，相邻通道区，且具有第二鳍片宽度；以及第三鳍片区，相邻漏极区，且具有第一鳍片宽度，其中第一鳍片宽度大于第二鳍片宽度；以及栅极电极，在通道区中抵接栅极电介质。

本发明实施例提供一种半导体结构的形成方法，包括：在基板上方制造沿着第一方向延伸的有源区鳍片，其中有源区鳍片包括源极区、漏极区、以及位于源极区和漏极区之间的通道区；在有源区鳍片旁边制造隔离结构；在有源区鳍片旁边、在隔离结构上方，制造多个隔离鳍片；修整邻近于有源区鳍片的通道区的多个第一鳍片区中的隔离鳍片；以及沉积栅极电极材料抵接第一鳍片区以及通道区中的栅极电介质。

本发明实施例提供一种半导体结构，包括：晶体管有源区，有源区包括：源极部分；漏极部分；以及通道部分，位于源极部分和漏极部分之间；栅极电介质，在晶体管有源区的通道部分上；隔离鳍片，在晶体管有源区旁边，其中隔离鳍片沿着晶体管有源区在第一方向上延伸，且其中源极部分和漏极部分至隔离鳍片的距离为第一间隔距离，第一间隔距离以垂直于第一方向的第二方向上测量；以及栅极电极，抵接通道部分上的栅极电介质，且抵接隔离鳍片，其中栅极电介质具有在隔离鳍片和栅极电介质之间的第二方向上测量的栅极电极宽度，栅极电极宽度大于第一间隔距离。

附图说明

以下将配合所附附图详述本发明实施例。应注意的是，依据在业界的标准做法，各种特征并未按照比例绘制且仅用以说明例示。事实上，可任意地放大或缩小单元的尺寸，以清楚地表现出本发明实施例的特征。

图1A根据本公开的一些实施例，示出半导体装置在制造工艺中的示意图。

图1B根据本公开的一些实施例，示出半导体装置的俯视图。

图2根据本公开的一些实施例，示出用于制造半导体装置的方法的流程图。

图3A、图3B、图3C、图3D、图3E、图3F、图3G、和图3H根据本公开的一些实施例，示出半导体装置在各个制造阶段的示意图。

附图标记如下：

100:装置

102:柱

104:隔离结构

105A,105B:有源区

106:第一半导体材料

107A,107B:导电路径

108:牺牲介电材料