[发明专利]半导体装置在审
| 申请号： | 202210935342.7 | 申请日： | 2022-08-05 |
| 公开（公告）号： | CN115483264A | 公开（公告）日： | 2022-12-16 |
| 发明（设计）人： | 游家权;潘冠廷;朱熙甯;江国诚;王志豪 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L21/336;H01L29/78 |
| 代理公司： | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 聂慧荃 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 | ||
【权利要求书】：
1.一种半导体装置，包括：
一有源区，在一基板上方沿着一第一方向延伸，该有源区包括从一源极区通过一通道区延伸到一漏极区的一导电路径；
一栅极电介质，在该通道区的一表面上；
一隔离鳍片，在该有源区的一第一侧，其中该隔离鳍片包括：
一第一鳍片区，相邻该源极区，且具有一第一鳍片宽度；
一第二鳍片区，相邻该通道区，且具有一第二鳍片宽度；以及
一第三鳍片区，相邻该漏极区，且具有该第一鳍片宽度，其中该第一鳍片宽度大于该第二鳍片宽度；以及
一栅极电极，在该通道区中抵接该栅极电介质。
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