[发明专利]半导体结构及其形成方法

摘要

本公开实施例提供一种半导体结构及其形成方法，半导体结构包括：基底；位于基底上方的多个半导体柱，半导体柱沿第一方向延伸，多个半导体柱在沿第二方向以及第三方向间隔排布，半导体柱具有沟道区以及位于沟道区相对两侧的掺杂区；第一支撑层，第一支撑层位于沿第二方向排布的半导体柱的沟道区侧壁；第二支撑层，第二支撑层位于相邻的第一支撑层之间；多个字线结构，字线结构沿第二方向延伸，至少位于沿第二方向排布的多个半导体柱的沟道区在第三方向上的两个表面，且还位于第一支撑层以及第二支撑层在第三方向上的两个表面。本公开实施例至少有利于保证字线具有较佳的连续性。