[发明专利]半导体结构及其形成方法

权利要求书

1.一种半导体结构，其特征在于，包括：

基底；

位于所述基底上方的多个半导体柱，所述半导体柱沿第一方向延伸，多个所述半导体柱在沿第二方向以及第三方向间隔排布，所述半导体柱具有沟道区以及位于所述沟道区相对两侧的掺杂区；

第一支撑层，所述第一支撑层位于沿所述第二方向排布的所述半导体柱的所述沟道区侧壁；

第二支撑层，所述第二支撑层位于相邻的所述第一支撑层之间；

多个字线结构，所述字线结构沿所述第二方向延伸，至少位于沿所述第二方向排布的多个所述半导体柱的所述沟道区在所述第三方向上的两个表面，且还位于所述第一支撑层以及所述第二支撑层在所述第三方向上的两个表面。

2.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述第一方向以及所述第二方向均平行于所述基底表面，所述第三方向垂直于所述基底表面，所述第一支撑层的顶面和所述第二支撑层的顶面均与相邻的所述半导体柱的顶面平齐，所述第一支撑层和所述第二支撑层的底面均与相邻的所述半导体柱的底面平齐。

3.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述第一支撑层与所述第二支撑层之间包含空气间隙。

4.根据权利要求3所述的半导体结构，其特征在于，在所述第二方向上，相邻所述半导体柱之间包含至少两个所述第一支撑层和至少两个所述空气间隙，每一所述第一支撑层的厚度相同，每一所述空气间隙的宽度相同。

5.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述第一支撑层与所述第二支撑层之间具有加强层。

6.根据权利要求5所述的半导体结构，其特征在于，在所述第二方向上，相邻所述半导体柱之间包含至少两个所述第一支撑层和至少两个所述加强层，每一所述第一支撑层的厚度相同，每一所述加强层的厚度相同。

7.根据权利要求5所述的半导体结构，其特征在于，所述加强层的材料与所述第一支撑的材料以及所述第二支撑层的材料不相同。

8.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述第一支撑层和所述第二支撑层的材料相同。

9.根据权利要求2所述的半导体结构，其特征在于，所述字线结构包括：

第一字线层，所述第一字线层位于所述半导体柱的所述沟道区的顶面、所述第一支撑层的顶面以及所述第二支撑层的顶面；

第二字线层，所述第二字线层位于所述半导体柱的所述沟道区的底面、所述第一支撑层的底面以及所述第二支撑层的底面；

在所述第三方向上，所述第一字线层与所述第二字线层的厚度相同。

10.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，还包括：栅介质层，所述栅介质层位于所述半导体柱的所述沟道区在所述第三方向上的两个表面，且位于所述字线结构与所述半导体柱的所述沟道区之间。

11.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，还包括：隔离层，所述隔离层位于相邻所述字线结构之间。

12.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，还包括：介质层，所述介质层位于邻近所述沟道区的部分所述半导体柱的所述掺杂区之间，且环绕部分所述半导体柱的所述掺杂区沿所述第一方向延伸的表面，所述介质层与所述字线结构在所述第一方向的两端相接触。