[发明专利]一种碳化硅平面式功率MOSFET器件的制造方法有效
| 申请号： | 202210914208.9 | 申请日： | 2022-08-01 |
| 公开（公告）号： | CN114975127B | 公开（公告）日： | 2022-10-21 |
| 发明（设计）人： | 李振道;孙明光 | 申请（专利权）人： | 南京融芯微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L29/06;H01L29/10;H01L29/78 |
| 代理公司： | 北京中济纬天专利代理有限公司 11429 | 代理人： | 丁燕华 |
| 地址： | 211899 江苏省南京市江北新*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： |
本发明公开了一种新型碳化硅平面式功率MOSFET器件的制造方法，包括以下步骤：S1：在外延层部分区域形成N‑掺杂区；S2：在外延层上蚀刻出凹槽；S3：在氮化物层对应的外延层内依次形成P‑掺杂区，N+掺杂区和P+掺杂区；S4：在外延层上表面生长闸极氧化层，随后在闸极氧化层上表面沉积闸极多晶硅层；S5：去除部分闸极多晶硅层和闸极氧化层，随后沉积介电质层；S6：在介电质层表面沉积金属层即得MOSFET器件。本发明不仅可以降低接面场效应的电阻R |
||
| 搜索关键词： | 一种 碳化硅 平面 功率 mosfet 器件 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于南京融芯微电子有限公司，未经南京融芯微电子有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202210914208.9/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
