[发明专利]碳化硅半导体装置及碳化硅半导体装置的制造方法在审
| 申请号： | 202210904053.0 | 申请日： | 2022-07-28 |
| 公开（公告）号： | CN115701662A | 公开（公告）日： | 2023-02-10 |
| 发明（设计）人： | 大久野幸史 | 申请（专利权）人： | 三菱电机株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/16;H01L21/336;H01L29/78 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人： | 何立波;张天舒 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明的目的在于在碳化硅半导体装置中，即使产生工艺上的缺陷也会对施加高dV/dt时的绝缘破坏的产生进行抑制。MOSFET(101)具有：栅极电极(33)及蚀刻阻挡层(51)，它们形成于栅极焊盘区域(13)的场绝缘膜(32)之上；以及层间绝缘膜(34)，其形成于栅极电极(33)之上及蚀刻阻挡层(51)之上。蚀刻阻挡层(51)由相对于层间绝缘膜(34)及场绝缘膜(32)的蚀刻来说选择比大于或等于5.0的物质构成，该蚀刻阻挡层(51)至少在栅极焊盘区域(13)处设置于距离栅极下阱接触区域(12)的阱接触孔(HW1)最远的位置。 | ||
| 搜索关键词： | 碳化硅 半导体 装置 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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