[发明专利]半导体结构及其制备方法在审
| 申请号： | 202210889498.6 | 申请日： | 2022-07-27 |
| 公开（公告）号： | CN115223922A | 公开（公告）日： | 2022-10-21 |
| 发明（设计）人： | 李敏 | 申请（专利权）人： | 长鑫存储技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/762 | 分类号： | H01L21/762;H01L29/06;H01L29/10;H01L29/40 |
| 代理公司： | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人： | 刘慧;黄健 |
| 地址： | 230601 安徽省合肥市*** | 国省代码： | 安徽;34 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本申请提供一种半导体结构的制备方法及半导体结构，该制备方法包括：提供衬底，衬底包括阵列区和位于阵列区外围的外围区，外围区具有多个有源区，以及隔离各有源区的第一沟槽；在第一沟槽内形成隔离结构，隔离结构包括覆盖第一沟槽的侧壁和底壁的第一隔离层、覆盖第一隔离层的第一阻挡层、填充在第一阻挡层所围合的第二沟槽内的第二隔离层，以及位于第二隔离层上且与第一阻挡层连接的第二阻挡层，第二阻挡层至少设置在有源区沿沟道宽度方向的两侧；形成栅极结构，栅极结构位于有源区的上部。该制备方法制备的半导体结构能够阻挡隔离结构内部的氧原子在半导体结构的高温制程中扩散进入栅极结构。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
