[发明专利]介质层的物理性能、半导体芯片性能的监测方法在审
| 申请号： | 202210851428.1 | 申请日： | 2022-07-19 |
| 公开（公告）号： | CN115284162A | 公开（公告）日： | 2022-11-04 |
| 发明（设计）人： | 程刘锁;许隽;张继亮 | 申请（专利权）人： | 华虹半导体（无锡）有限公司 |
| 主分类号： | B24B37/005 | 分类号： | B24B37/005;B24B49/12;H01L21/67;H01L21/66 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 戴广志 |
| 地址： | 214028 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明提供一种介质层的物理性能、半导体芯片性能的监测方法，其中介质层的物理性能的监测方法包括：建立椭圆偏振法以测试介质层相关物理参数的光学量程式；获取之前至少两个生产批次中所有介质层的折射率及其研磨率；根据所述介质层的折射率及其研磨率，建立数据模型；测试当前生产批次中的介质层的折射率；利用所述数据模型获取当前生产批次中的介质层对应的研磨率。本申请通过根据所述介质层的折射率及其研磨率，建立有效的数据模型来合理预测当前批次及之后所有批次的介质层的研磨率，并且根据不断生产的批次还可以动态修正所述数据模型，实现了介质层的物理性能的动态监测和精确监控。 | ||
| 搜索关键词： | 介质 物理性能 半导体 芯片 性能 监测 方法 | ||
【主权项】：
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