[发明专利]介质层的物理性能、半导体芯片性能的监测方法在审
| 申请号： | 202210851428.1 | 申请日： | 2022-07-19 |
| 公开（公告）号： | CN115284162A | 公开（公告）日： | 2022-11-04 |
| 发明（设计）人： | 程刘锁;许隽;张继亮 | 申请（专利权）人： | 华虹半导体（无锡）有限公司 |
| 主分类号： | B24B37/005 | 分类号： | B24B37/005;B24B49/12;H01L21/67;H01L21/66 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 戴广志 |
| 地址： | 214028 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 介质 物理性能 半导体 芯片 性能 监测 方法 | ||
1.一种介质层的物理性能的监测方法，其特征在于，包括：
建立椭圆偏振法以测试介质层的多个物理参数的光学量程式；
根据所述光学量程式，获取之前至少两个生产批次中所有介质层的折射率；并收集研磨机台中各介质层对应的研磨率；
根据所述介质层的折射率和所述介质层的研磨率，建立数据模型；
获取当前生产批次中的介质层的折射率；
根据当前生产批次中的介质层的折射率，利用所述数据模型获取当前生产批次中的介质层对应的研磨率。
2.根据权利要求1所述的介质层的物理性能的监测方法，其特征在于，在根据当前生产批次中的介质层的折射率，利用所述数据模型获取当前生产批次中的介质层对应的研磨率之后，所述介质层的物理性能的监测方法还包括：
根据当前生产批次中的介质层对应的研磨率，调整CMP工艺中研磨机台的工艺参数。
3.根据权利要求2所述的介质层的物理性能的监测方法，其特征在于，CMP工艺中研磨机台的所述工艺参数包括：研磨时间、研磨率。
4.根据权利要求2所述的介质层的物理性能的监测方法，其特征在于，在根据当前生产批次中的介质层的折射率，利用所述数据模型获取当前生产批次中的介质层对应的研磨率之后，所述介质层的物理性能的监测方法还包括：
根据当前生产批次中的介质层对应的研磨率，对当前生产批次中的介质层执行CMP工艺。
5.根据权利要求1所述的介质层的物理性能的监测方法，其特征在于，建立椭圆偏振法以测试介质层的多个物理参数的光学量程式包括：选择测试模式、调整测试参数。
6.根据权利要求1所述的介质层的物理性能的监测方法，其特征在于，所述介质层包括：多孔低介电常数的介质层。
7.根据权利要求1所述的介质层的物理性能的监测方法，其特征在于，所述获取当前生产批次中的介质层的折射率包括：
根据所述光学量程式，获取当前生产批次中的介质层的折射率。
8.一种半导体芯片性能的监测方法，其特征在于，包括：如权利要求1至7中任一项所述的介质层的物理性能的监测方法。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于华虹半导体（无锡）有限公司，未经华虹半导体（无锡）有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202210851428.1/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种会计凭单装订机
- 下一篇：一种硝基氯苯高效生产工艺
