[发明专利]半导体装置及其制造方法在审
| 申请号： | 202210836293.1 | 申请日： | 2022-07-15 |
| 公开（公告）号： | CN115939111A | 公开（公告）日： | 2023-04-07 |
| 发明（设计）人： | 具元泰;徐东益 | 申请（专利权）人： | 爱思开海力士有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/64 | 分类号： | H01L23/64;H01G4/005 |
| 代理公司： | 北京弘权知识产权代理有限公司 11363 | 代理人： | 许伟群;李少丹 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 根据本发明实施例的半导体装置包括：衬底、设置在衬底上的第一外延电极层、设置在第一外延电极层上的铁电外延层、设置在铁电外延层上的电介质外延层以及设置在电介质外延层上的第二外延电极层。铁电外延层实现负电容。第一外延电极层和第二外延电极层中的每一个包括导电烧绿石氧化物。铁电外延层和电介质外延层串联电连接。包括铁电外延层和电介质外延层的电介质结构是非铁电的。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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