[发明专利]半导体结构及其形成方法在审
| 申请号： | 202210813861.6 | 申请日： | 2022-07-11 |
| 公开（公告）号： | CN116101969A | 公开（公告）日： | 2023-05-12 |
| 发明（设计）人： | 陈亭蓉 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | B81B7/02 | 分类号： | B81B7/02;B81C1/00;B81B7/00 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;李伟 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明的实施例提供了一种半导体结构，包括：衬底；以及微电子机械系统(MEMS)器件，位于衬底上，其中，微电子机械系统器件包括形成在衬底中的机械块；其中，衬底在机械块处具有狭缝，其中，狭缝从机械块的顶面至机械块的底面延伸穿过衬底，其中，衬底具有位于狭缝中并且边缘对边缘布置的第一侧壁和第二侧壁，其中，第一侧壁从机械块的底面到第二侧壁的边缘基本垂直，并且其中，第二侧壁从第二侧壁的边缘到机械块的顶面向外成弧形。本发明的实施例还涉及形成半导体结构的方法。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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