[发明专利]半导体结构及其形成方法在审

专利信息
申请号: 202210813861.6 申请日: 2022-07-11
公开(公告)号: CN116101969A 公开(公告)日: 2023-05-12
发明(设计)人: 陈亭蓉 申请(专利权)人: 台湾积体电路制造股份有限公司
主分类号: B81B7/02 分类号: B81B7/02;B81C1/00;B81B7/00
代理公司: 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 代理人: 章社杲;李伟
地址: 中国台*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 半导体 结构 及其 形成 方法
【说明书】:

发明的实施例提供了一种半导体结构,包括:衬底;以及微电子机械系统(MEMS)器件,位于衬底上,其中,微电子机械系统器件包括形成在衬底中的机械块;其中,衬底在机械块处具有狭缝,其中,狭缝从机械块的顶面至机械块的底面延伸穿过衬底,其中,衬底具有位于狭缝中并且边缘对边缘布置的第一侧壁和第二侧壁,其中,第一侧壁从机械块的底面到第二侧壁的边缘基本垂直,并且其中,第二侧壁从第二侧壁的边缘到机械块的顶面向外成弧形。本发明的实施例还涉及形成半导体结构的方法。

技术领域

本发明的实施例涉及半导体结构及其形成方法。

背景技术

微电子机械系统(MEMS)器件是集成机械和电子组件以感测物理量和/或作用于周围环境的微小器件。近年来,MEMS器件变得越来越普遍。例如,MEMS扬声器常见于助听器、入耳式耳机、家用扬声器、电视扬声器等。

发明内容

本发明的一些实施例提供了一种半导体结构,包括:衬底;以及微电子机械系统(MEMS)器件,位于衬底上,其中,微电子机械系统器件包括形成在衬底中的机械块;其中,衬底在机械块处具有狭缝,其中,狭缝从机械块的顶面至机械块的底面延伸穿过衬底,其中,衬底具有位于狭缝中并且边缘对边缘布置的第一侧壁和第二侧壁,其中,第一侧壁从机械块的底面到第二侧壁的边缘基本垂直,并且其中,第二侧壁从第二侧壁的边缘到机械块的顶面向外成弧形。

本发明的另一些实施例提供了一种半导体结构,包括:衬底;以及微电子机械系统(MEMS)器件,位于衬底上,其中,微电子机械系统器件包括形成在衬底中的机械块;其中,衬底在机械块处具有狭缝,其中,狭缝设置为从机械块的顶面至机械块的底面穿过衬底,其中,狭缝的宽度从机械块的底面到高度是基本均匀的,高度与机械块的顶面和底面偏移并且位于机械块的顶面和底面之间,并且其中,狭缝的宽度从高度到机械块的顶面增大。

本发明的又一些实施例提供了一种形成半导体结构的方法,包括:对衬底的第一侧执行第一蚀刻以形成凹口,凹口延伸至衬底中至第一深度;对衬底的第一侧执行第二蚀刻以形成沟槽,沟槽延伸至衬底中至大于第一深度的第二深度,其中,沟槽与凹口重叠并且具有比凹口小的宽度;利用粘合剂将载体衬底接合至衬底的第一侧,粘合剂填充凹口和沟槽并且覆盖衬底的第一侧;从衬底的与第一侧相对的第二侧减薄衬底;以及在减薄之后,去除载体衬底和粘合剂。

本发明的再一些实施例提供了用于MEMS器件的顶部凹口狭缝轮廓。

附图说明

当结合附图阅读时,从以下详细描述可以最佳理解本发明的各方面。应该注意,根据工业中的标准实践,各种部件未按比率绘制。实际上,为了讨论的清楚起见,可以任意地增大或减小各种部件的尺寸。

图1示出了微电子机械系统(MEMS)器件的一些实施例的截面图,其中MEMS器件的可移动块处的狭缝具有顶部凹口狭缝轮廓。

图2示出了图1的狭缝的一些实施例的放大截面图。

图3A至图3G示出了图1的狭缝的一些可选实施例的截面图。

图4示出了图1的MEMS器件的一些实施例的扩展截面图,其中MEMS器件的致动器结构围绕可移动块。

图5示出了图4的MEMS器件的一些实施例的顶视布局图。

图6示出了图4的MEMS器件的一些可选实施例的顶视布局图。

图7A至图7D示出了图4的MEMS器件的一些可选实施例的截面图700A-700D。

图8示出了MEMS封装件的一些实施例的截面图,其中图4的MEMS器件封装在印刷电路板(PCB)上。

图9示出了MEMS封装件的一些可选实施例的截面图,其中MEMS器件的可移动块处的狭缝具有顶部凹口狭缝轮廓。

图10示出了图9的狭缝的一些实施例的放大截面图。

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