[发明专利]半导体结构及其形成方法

权利要求书

1.一种半导体结构，包括：

衬底；以及

微电子机械系统(MEMS)器件，位于所述衬底上，其中，所述微电子机械系统器件包括形成在所述衬底中的机械块；

其中，所述衬底在所述机械块处具有狭缝，其中，所述狭缝从所述机械块的顶面至所述机械块的底面延伸穿过所述衬底，其中，所述衬底具有位于所述狭缝中并且边缘对边缘布置的第一侧壁和第二侧壁，其中，所述第一侧壁从所述机械块的所述底面到所述第二侧壁的边缘基本垂直，并且其中，所述第二侧壁从所述第二侧壁的所述边缘到所述机械块的所述顶面向外成弧形。

2.根据权利要求1所述的半导体结构，其中，所述边缘比所述机械块的所述底面更靠近所述机械块的所述顶面。

3.根据权利要求1所述的半导体结构，其中，所述衬底具有第二狭缝，所述第二狭缝从所述机械块的所述顶面至所述机械块的所述底面延伸穿过所述衬底，其中，所述衬底的部分位于所述狭缝和所述第二狭缝之间并且暴露在所述狭缝和所述第二狭缝中，并且其中，所述衬底的所述部分在所述衬底的顶部拐角部分处具有向上突起。

4.根据权利要求1所述的半导体结构，其中，所述狭缝具有关于所述狭缝的宽度方向中心处的垂直轴的对称轮廓。

5.根据权利要求1所述的半导体结构，其中，所述微电子机械系统器件包括压电结构，所述压电结构在所述机械块周围以闭合路径延伸并且被配置为使所述机械块振动。

6.根据权利要求1所述的半导体结构，其中，所述狭缝从所述机械块的拐角向所述机械块的中心横向伸长。

7.根据权利要求1所述的半导体结构，其中，所述半导体结构还包括：

帽衬底，位于所述衬底上面；

半导体衬底，位于所述衬底下面；以及

互连结构，位于所述半导体衬底与所述衬底之间；

其中，所述机械块被配置为在所述帽衬底和所述互连结构之间的腔中移动。

8.一种半导体结构，包括：

衬底；以及

微电子机械系统(MEMS)器件，位于所述衬底上，其中，所述微电子机械系统器件包括形成在所述衬底中的机械块；

其中，所述衬底在所述机械块处具有狭缝，其中，所述狭缝设置为从所述机械块的顶面至所述机械块的底面穿过所述衬底，其中，所述狭缝的宽度从所述机械块的所述底面到高度是基本均匀的，所述高度与所述机械块的所述顶面和所述底面偏移并且位于所述机械块的所述顶面和所述底面之间，并且其中，所述狭缝的所述宽度从所述高度到所述机械块的所述顶面增大。

9.根据权利要求8所述的半导体结构，其中，所述狭缝的所述宽度从所述机械块的所述底面到所述高度以第一速率增加，并且其中，所述狭缝的所述宽度从所述高度到所述机械块的所述顶面以大于所述第一速率的第二速率增加。

10.一种形成半导体结构的方法，包括：

对衬底的第一侧执行第一蚀刻以形成凹口，所述凹口延伸至所述衬底中至第一深度；

对所述衬底的所述第一侧执行第二蚀刻以形成沟槽，所述沟槽延伸至所述衬底中至大于所述第一深度的第二深度，其中，所述沟槽与所述凹口重叠并且具有比所述凹口小的宽度；

利用粘合剂将载体衬底接合至所述衬底的所述第一侧，所述粘合剂填充所述凹口和所述沟槽并且覆盖所述衬底的所述第一侧；

从所述衬底的与所述第一侧相对的第二侧减薄所述衬底；以及

在所述减薄之后，去除所述载体衬底和所述粘合剂。