[发明专利]半导体元件结构及半导体电路在审
| 申请号： | 202210812374.8 | 申请日： | 2022-07-11 |
| 公开（公告）号： | CN116247028A | 公开（公告）日： | 2023-06-09 |
| 发明（设计）人： | 杨吴德 | 申请（专利权）人： | 南亚科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/525 | 分类号： | H01L23/525;H10B12/00;G11C17/16 |
| 代理公司： | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 黄艳 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本申请提供一种半导体元件结构及半导体电路。该半导体元件结构包括一第一栅极结构、一第二栅极结构以及一第一主动区。该第一栅极结构沿一第一方向延伸，并与一第一晶体管电性连接。该第二栅极结构沿该第一方向延伸，并与一第二晶体管电性连接。该第一主动区沿不同于该第一方向的一第二方向延伸，并跨越该第一栅极结构和该第二栅极结构。该第一栅极结构和该第一主动区共同形成一第一熔丝元件。该第二栅极结构和该第一主动区共同形成一第二熔丝元件。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 元件 结构 电路 | ||
【主权项】：
暂无信息
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